Document
拖动滑块完成拼图
专利交易 商标交易 积分商城 国际服务 IP管家助手 科技果 科技人才 会员权益 需求市场 关于龙图腾 更多
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索
  • 我要求购
  • 我要出售
官方微信客服

官方微信客服
官方微信客服

官方微信客服
最新专利技术
  • 提升压电复合薄膜黑化效果的方法
    提升压电复合薄膜黑化效果的方法_济南晶正电子科技有限公司_202512013827.7
    本申请提供一种提升压电复合薄膜黑化效果的方法，通过先对至少包括依次层叠的衬底层和薄膜层的压电复合薄膜的薄膜层表面进行粗糙化处理，增加其表面有效反应面积，再将薄膜置于还原介质中进行黑化还原热处理，以得到黑化压电复合薄膜。粗糙化后的表面能够提供...
    2026-04-25
  • 用于压力感应和能量收集的离子压电装置
    用于压力感应和能量收集的离子压电装置_香港城市大学_202510597041.1
    一种用于提供电信号的离子压电装置，该装置包括：(i)包含多个可移动阳离子和阴离子的基质；(ii)与基质接触的两个或多个电极，根据阳离子和阴离子之间的迁移率差，响应施加到基质上的外部压力提供电信号。离子压电装置含有选择性离子迁移率放大结构，用...
    2026-04-25
  • 一种新型压电薄膜结构
    一种新型压电薄膜结构_电子科技大学中山学院_202610059970.1
    本发明公开了一种新型压电薄膜结构，涉及微电子传感技术领域，该结构包括：半导体衬底；设置在半导体衬底上的栅极结构，栅极结构由共面电极构成；沉积于栅极结构上方的沟道层；位于沟道层之上的绝缘夹心层；设置于绝缘夹心层中心位置的漏极；以及覆盖于漏极顶...
    2026-04-25
  • 一种可低电压驱动的高性能铁酸铋薄膜及其制备方法和应用
    一种可低电压驱动的高性能铁酸铋薄膜及其制备方法和应用_江苏理工学院_202511992808.7
    本发明公开了一种可低电压驱动的高性能铁酸铋薄膜，包括衬底以及旋涂于衬底表面的导电氧化物缓冲层和铁酸铋基薄膜层；导电氧化物缓冲层的厚度为100‑350 nm；铁酸铋基薄膜层由包含铋、铁及掺杂元素的前驱体溶胶涂覆于导电氧化物缓冲层上，并进行结晶...
    2026-04-25
  • 超导量子芯片的引线键合方法、制造方法和超导量子芯片
    超导量子芯片的引线键合方法、制造方法和超导量子芯片_深圳量旋科技有限公司_202511984967.2
    本发明公开了一种超导量子芯片的引线键合方法、制造方法及超导量子芯片。所述引线键合方法包括：利用金属焊丝，在超导量子芯片封装用印刷电路板PCB上第一金属焊盘的不同位置形成多个相互接触的第一焊点；利用金属焊丝，依次在超导量子芯片本体的第二金属焊...
    2026-04-25
  • 一种新型钽基约瑟夫森结及其制备方法
    一种新型钽基约瑟夫森结及其制备方法_南京大学_202610291915.5
    本发明属于超导电子器件技术领域，具体涉及一种新型钽基约瑟夫森结及其制备方法，该制备方法包括以下步骤：在衬底上依次沉积形成Nb种子层以及Ta层，然后在同一设备腔内对所述Ta层进行原位氧等离子体氧化形成TaOx势垒层，在所述TaOx势垒层上沉积...
    2026-04-25
  • 一种量子芯片封装装置
    一种量子芯片封装装置_量子科技长三角产业创新中心_202411398231.2
    本公开提供了一种量子芯片封装装置，包括顶部密封件和下密封件；顶部密封件靠近下密封件的端面具有上空腔；下密封件靠近顶部密封件的端面具有下空腔，上空腔与下空腔相互连通，用于封装量子芯片；下空腔内设置有下隔离件，下隔离件将下空腔分隔成多个空腔，本...
    2026-04-25
  • 忆阻器及其制备方法
    忆阻器及其制备方法_中国科学院深圳先进技术研究院_202511963306.1
    本申请提供了一种忆阻器及其制备方法。制备方法包括：在衬底上制备形成底电极；在底电极上制备形成HfO2层，HfO2层的厚度为4nm至6nm；在HfO2层制备形成TaOx层，TaOx层的厚度为50nm；在TaOx层上制备形成顶电极，得到忆阻器半...
    2026-04-25
  • 兼容CMOS后端工艺的忆阻器及其制备方法
    兼容CMOS后端工艺的忆阻器及其制备方法_中国科学院深圳先进技术研究院_202511966991.3
    本申请提供了一种兼容CMOS后端工艺的忆阻器及其制备方法。所述制备方法包括：在衬底上制备形成底电极；在所述底电极上制备形成HfO2层；在所述HfO2层制备形成铝层，所述铝层在空气中进行自氧化生成Al2O3层；在所述Al2O3层上制备形成顶电...
    2026-04-25
  • 一种用于低温溶液加工柔性电解质栅晶体管的双层聚合物/金属氧化物杂化沟道制备方法
    一种用于低温溶液加工柔性电解质栅晶体管的双层聚合物/金属氧化物杂化沟道制备方法_南京邮电大学_202511990910.3
    本发明公开了一种用于低温溶液加工柔性电解质栅晶体管的双层聚合物/金属氧化物杂化沟道制备方法，包括制备柔性、低温工艺的单沟道聚合物EGT作为短时记忆参照，以及混合聚合物/In2O3 EGT作为长时记忆候选器件，包括固态电解质集成与电极沉积；测...
    2026-04-25
  • 一种微加热器包裹相变材料的相变开关及其加工工艺
    一种微加热器包裹相变材料的相变开关及其加工工艺_成都斯微奇微电子有限公司_202610065840.9
    本发明涉及相变开关领域，为解决现有相变电阻值波动大、开关比降低、高能耗、响应迟缓以及寿命缩短的问题，提供了一种微加热器包裹相变材料的相变开关，包括：微加热器和功能层，所述微加热包括：下底部、侧部以及上底部；所述下底部通过所述侧部连接所述上底...
    2026-04-25
  • 一种基于元素梯度设计的分层结构自选通存储器件
    一种基于元素梯度设计的分层结构自选通存储器件_中国科学院上海微系统与信息技术研究所_202511920482.7
    本发明涉及一种基于元素梯度设计的分层结构自选通存储器件，所述自选通存储器件包括下电极、功能层和上电极，功能层包括A元素富集层、B元素富集层以及设于A元素富集层和B元素富集层之间的A元素和B元素构成的中间层；该元素梯度设计能使器件同时获得显著...
    2026-04-25
  • 一种复合衬底、半导体晶圆及制备方法、半导体器件
    一种复合衬底、半导体晶圆及制备方法、半导体器件_福建晶安光电有限公司_202511762552.0
    本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种复合衬底、半导体晶圆及制备方法、半导体器件。该复合衬底包括第一衬底，所述第一衬底包括氮化铝层；第二衬底，所述第二衬底为蓝宝石衬底；键合层，位于所述第一衬底和所述第二衬底之间；所述第一衬底的厚度h1大...
    2026-04-25
  • 一种硅衬底表面的铝局部掺杂方法、掺杂铝的硅衬底及PN结
    一种硅衬底表面的铝局部掺杂方法、掺杂铝的硅衬底及PN结_株洲中车时代半导体股份有限公司_202411839211.4
    本发明涉及硅衬底表面的铝局部掺杂方法、掺杂铝的硅衬底及PN结。硅衬底表面的铝局部掺杂方法包括：(1)在硅衬底表面沉积氮化硅掩蔽膜；(2)刻蚀氮化硅掩蔽膜层，得到具有掺杂窗口的硅衬底；(3)将金属铝放置于反应管中，反应管升温至第一温度，金属铝...
    2026-04-25
  • 碳化硅半导体结构的制备方法和碳化硅半导体结构
    碳化硅半导体结构的制备方法和碳化硅半导体结构_株洲中车时代半导体股份有限公司_202510692702.9
    本发明公开一种碳化硅半导体结构的制备方法和碳化硅半导体结构。碳化硅半导体结构的制备方法包括：在碳化硅层表面形成的第一欧姆接触层和第二欧姆接触层；第一欧姆接触层和第二欧姆接触层的厚度均为纳米级，第二欧姆接触层的熔点小于第一欧姆接触层的熔点；对...
    2026-04-25
  • 一种低温多晶硅薄膜制备方法及低温多晶硅薄膜
    一种低温多晶硅薄膜制备方法及低温多晶硅薄膜_中国移动通信集团设计院有限公司_202511780263.3
    本申请公开了一种低温多晶硅薄膜制备方法，用以解决采用现有的低温多晶硅薄膜制备方法制备得到的低温多晶硅薄膜钝化效果不稳定且易形成氢致缺陷的问题。方法包括：在衬底基板上形成缓冲层；在所述缓冲层远离所述衬底基板的表面形成非晶硅层，对所述非晶硅层进...
    2026-04-25
  • 一种晶圆级芯片P面电极前处理方法
    一种晶圆级芯片P面电极前处理方法_山东华光光电子股份有限公司_202511891023.0
    本发明涉及一种晶圆级芯片P面电极前处理方法，属于半导体器件的技术领域。所述方法包括如下步骤：(1)采用PECVD工艺，在晶圆级芯片P面制备Si3N4薄膜层；(2)在Si3N4薄膜上，磁控溅射Ti黏附层，然后高温热处理促进Ti黏附层与Si3N...
    2026-04-25
  • 半导体结构的制备方法及沉积设备
    半导体结构的制备方法及沉积设备_江苏首芯半导体科技有限公司_202512000489.3
    本公开涉及半导体制造领域，提供一种半导体结构的制备方法及沉积设备，至少可以改善膜层的良率以及节省工作时间。制备方法包括：对基底进行第一沉积步骤，第一沉积步骤包括通入第一气体以及第二气体，并检测等离子体负载阻抗虚部的第一变化量；若第一变化量到...
    2026-04-25
  • 一种改善介质层湿法刻蚀角度的方法、介质层及半导体器件
    一种改善介质层湿法刻蚀角度的方法、介质层及半导体器件_长飞先进半导体(武汉)有限公司_202610038105.9
    本发明公开了一种改善介质层湿法刻蚀角度的方法、介质层及半导体器件，包括：在衬底的表面形成介质层；对所述介质层远离所述衬底一侧的表面进行等离子处理，以调控所述表面的致密性，获得改性表面；在所述改性表面上形成掩膜层，所述掩膜层设置有开口，并暴露...
    2026-04-25
  • 一种通过低温离子注入工艺选择性调控图案尺寸的方法
    一种通过低温离子注入工艺选择性调控图案尺寸的方法_腾云创芯半导体材料(上海)有限公司_202512007510.2
    本发明公开一种通过低温离子注入工艺选择性调控图案尺寸的方法，属于集成电路制造技术领域，包括：获得中间体材料；对中间体材料进行低温离子注入，以在中间膜层非镂空部分的竖向侧壁上生成改性层；通过原子层沉积进行选择性成长，形成覆盖中间体材料表面的沉...
    2026-04-25
首页 上一页 11 下一页
技术分类

专利交易买卖与高校科技成果转化平台

主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务

Copyright ©龙图腾网 版权所有  营业执照  | 皖ICP备12007331号-2 lotut.com 皖公网安备 34010402703815号 中华人民共和国增值电信业务经营许可证