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最新专利技术
  • 一种半导体对中装置及方法
    一种半导体对中装置及方法_苏州芯睿科技有限公司_202610445239.2
    本发明提供了一种半导体对中装置及方法，该半导体对中装置包括：定位机构包括定位柱；对准机构包括：固定座，可滑动地穿设于固定座的若干个导向杆，固设于导向杆朝向载盘中心一端的矫正件，开设于固定座以收容矫正件的凹槽，以及抵接于固定座与矫正件之间的第...
    2026-05-10
  • 方形晶片的加工方法、系统及设备
    方形晶片的加工方法、系统及设备_浙江晶盛机电股份有限公司_202512025823.0
    本申请公开了一种方形晶片的加工方法、系统及设备，该加工方法包括：获取方形晶片的四条直边的坐标数据，基于坐标数据进行直线拟合，以确定四条直边对应的第一直线解析式；基于四条直边对应的第一直线解析式，确定两两相交的第一直线解析式的四个第一交点；基...
    2026-05-10
  • 芯片装配的预处理设备
    芯片装配的预处理设备_昆山鸿仕达智能科技股份有限公司_202610425461.6
    本发明涉及一种芯片装配的预处理设备，其包括载具、传输轨道、往返运动地设置在所述传输轨道上的传输件、设置在所述传输轨道一侧的翻转机构，所述载具包括承载座以及分设于所述承载座相对两侧的第一连接部和第二连接部；所述第一连接部与所述传输件沿上下方向...
    2026-05-10
  • 一种载片舟流转设备、基片处理系统和载片舟流转方法
    一种载片舟流转设备、基片处理系统和载片舟流转方法_江苏微导纳米科技股份有限公司_202610163864.8
    本申请涉及半导体制造工艺技术领域，具体涉及一种载片舟流转设备、基片处理系统和载片舟流转方法，包括抓舟天车、至少一组载片舟流转组件，以及至少一个插接片组件，载片舟流转组件包括：沿X方向分布的桨结构、生料缓存区、冷却缓存区和输送机构，桨结构搭载...
    2026-05-10
  • 一种晶圆接料机构及晶圆加工设备
    一种晶圆接料机构及晶圆加工设备_环诚智能装备(成都)有限公司_202610123149.1
    本发明提供了一种晶圆接料机构及晶圆加工设备，晶圆接料机构包括密封腔、接料组件、升降组件、调节组件以及焊接波纹管。本发明提供的晶圆接料机构，通过设置位于密封腔外部的、由第一调节座和第二调节座构成的调节组件，并使其与穿过密封腔底部的连接件连接，...
    2026-05-10
  • 电池片的收料装置及电池片的收料方法
    电池片的收料装置及电池片的收料方法_横店集团东磁股份有限公司_202511879735.0
    本申请涉及一种电池片的收料装置及电池片的收料方法，该电池片的收料装置包括升降机构、载料台以及两个定位件，升降机构包括升降台，载料台安装于升降台，载料台具有背离升降台设置的载料面；两个定位件分别固定连接于载料台的相邻两侧，两个定位件均向背离升...
    2026-05-10
  • 晶圆框治具和晶圆表面检测方法
    晶圆框治具和晶圆表面检测方法_弘塑科技股份有限公司_202411528864.0
    本申请提供了一种晶圆框治具和晶圆表面检测方法。晶圆框治具用于承载和固定晶圆，包括刚性框架和柔性片。所述刚性框架包括外框部和中央部。所述外框部环绕所述中央部。所述外框部为实体结构，以及所述中央部为镂空结构。所述柔性片与所述刚性框架连接并且覆盖...
    2026-05-10
  • MEMS晶圆的胶膜分离方法和装置
    MEMS晶圆的胶膜分离方法和装置_苏州共进微电子技术有限公司_202610204438.4
    本发明提供的MEMS晶圆的胶膜分离方法和装置，涉及晶圆封装技术领域，该方法首先利用下加热盘吸附固定晶圆的背面，且晶圆的正面设置有胶膜层，然后将胶膜层加热至发泡温度，该发泡温度能够大于或等于胶膜层的粘接失效温度，使得胶膜层粘接失效。然后利用上...
    2026-05-10
  • 一种芯片封装装置及芯片封装方法
    一种芯片封装装置及芯片封装方法_宏锐兴(湖北)电子有限责任公司_202610190923.0
    本发明涉及芯片封装技术领域，提出了一种芯片封装装置及芯片封装方法，包括底座和键合机，底座的外表面连接有三维移动模组，三维移动模组的输送物为点胶模组，底座的外表面连接有控热结构，点胶模组的外表面连接有防拉丝结构，键合机的输出端固定连接有键合头...
    2026-05-10
  • 一种晶圆映射机构及晶圆存储系统
    一种晶圆映射机构及晶圆存储系统_北京京仪自动化装备技术股份有限公司_202610167198.5
    本申请公开了一种晶圆映射机构及晶圆存储系统，包括：底板；顶板，包括第一连接部、发射部和接收部，第一连接部与底板相对设置；发射部和接收部相对设于第一连接部的同一侧，且两者相对的侧面内分别设有发射器和接收器；连杆组件，包括第一连杆和第二连杆；第...
    2026-05-10
  • 气压整平装置
    气压整平装置_上海世禹精密设备股份有限公司_202610145565.1
    本发明涉及半导体技术领域，提供了一种气压整平装置，包括：上料机构、检测载台、整平机构以及搬运机构，整平机构用于对不合格的产品进行整平；搬运机构将所述取料位上的所述产品搬运至所述检测载台检测，将所述检测载台检测出合格产品运送回所述取料位；将所...
    2026-05-10
  • 压合设备
    压合设备_万润科技股份有限公司_202610141647.9
    本发明提供一种压合设备，包括：设有配合下方下模共同压合受压物的上模装置，所述上模装置设有受驱动模块的驱力作用的压模单元，所述压模单元设有压模，所述压模设有气道，所述气道与所述压模下方的区域相通，能通入气体对所述压模下方进行气体吹抵；借此提升...
    2026-05-10
  • 压合方法及压合设备
    压合方法及压合设备_万润科技股份有限公司_202610140323.3
    本发明提供一种压合方法及压合设备。所述压合方法包括：提供基板上载有晶粒并覆有散热片的组件作为受压物；提供上模装置，所述上模装置配合下方的下模共同压合所述受压物；所述上模装置包括提供驱力的驱动模块与设有压模的压合模块，所述驱力使所述压模压抵所...
    2026-05-10
  • 氮化镓异质外延层生长工艺参数智能调控方法及系统
    氮化镓异质外延层生长工艺参数智能调控方法及系统_中科(合肥)微电子研究院有限公司_202610123134.5
    本发明提供氮化镓异质外延层生长工艺参数智能调控方法及系统，涉及半导体制造技术领域，包括采集腔室多层温度分布、气相组分浓度、压力波动及基片旋转速度数据；分解温度梯度分量，结合气相浓度和旋转速度，计算获得空间停留时间分布和局部反应速率分布；基于...
    2026-05-10
  • 一种双高度带片同步换位的晶圆清洗制造单元及调度方法
    一种双高度带片同步换位的晶圆清洗制造单元及调度方法_上海倍弗仑半导体设备有限公司_202610102439.8
    本发明涉及半导体芯片技术领域，具体公开了一种双高度带片同步换位的晶圆清洗制造单元及调度方法，包括设备外壳、设备框架、电气控制装置及安装于所述设备框架上的运动控制装置；所述设备外壳与设备框架通过多处活动连接固定；所述运动控制装置包括料盒升降台...
    2026-05-10
  • 基片处理装置和基片干燥方法
    基片处理装置和基片干燥方法_东京毅力科创株式会社_202610079001.2
    本发明提供基片处理装置和基片干燥方法。本发明的基片处理装置能够进行使用超临界状态的处理流体使在图案形成面形成有液膜的基片干燥的干燥处理，该基片处理装置包括处理容器、保持部和供给部。处理容器收纳基片。保持部在处理容器内保持基片。供给部对处理容...
    2026-05-10
  • 一种键合胶输送控制系统
    一种键合胶输送控制系统_吾拾微电子(苏州)有限公司_202511504805.4
    本申请涉及一种键合胶输送控制系统，包括：胶罐；缓存罐；涂胶模块；真空模块；出胶模块；稳压模块；缓存罐可选择性的与胶罐、涂胶模块、真空模块、出胶模块以及稳压模块中的至少一个连通，以具有第一状态、第二状态和第三状态；处于第一状态时，缓存罐的进液...
    2026-05-10
  • 一种用于晶圆键合机的控制方法及晶圆键合机
    一种用于晶圆键合机的控制方法及晶圆键合机_上海新微技术研发中心有限公司_202411515215.7
    本发明公开了一种用于晶圆键合机的控制方法及晶圆键合机，涉及晶圆键合工艺技术领域。晶圆键合机包括用于传送晶圆的真空传送手臂和用于吸附晶圆的吸附机构，其特征在于，控制方法包括如下步骤：获取转接位置处真空传送手臂处的晶圆的偏移高度；控制真空传送手...
    2026-05-10
  • 一种便于调节的芯片湿法刻蚀机
    一种便于调节的芯片湿法刻蚀机_上海玄新生物科技有限公司_202311748258.5
    本发明公开了一种便于调节的芯片湿法刻蚀机，包括安装座、承重板和湿法刻蚀机本体，安装座的一端设有空腔，空腔内转动连接有丝杠，丝杠上固定套接有第一齿轮，空腔内设有与第一齿轮相啮合的第二齿轮，第二齿轮和空腔的内壁通过转杆转动连接，转杆的一端贯穿空...
    2026-05-10
  • 一种去除自对准硅化物中未反应镍铂合金的方法
    一种去除自对准硅化物中未反应镍铂合金的方法_晶芯成(北京)科技有限公司_202610458132.1
    本发明涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种去除自对准硅化物中未反应镍铂合金的方法，包括以下步骤：a)提供表面具有金属层的晶圆；所述金属层包括镍铂合金；b)在所述金属层表面形成多孔二氧化钛层；c)采用光催化反应在常温下去除金属层；d)采用过氧...
    2026-05-10
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