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最新专利技术
  • 一种增强型氮化镓器件结构及其制备方法
    一种增强型氮化镓器件结构及其制备方法_北京航空航天大学_202511981037.1
    本申请提供了一种增强型氮化镓器件结构及其制备方法，包括衬底、外延结构层、栅极结构层及电极结构层。外延结构层包含依次堆叠的沟道层与势垒层，栅极结构层包含多个的第一半导体部，电极结构层包含间隔设置的第二电极与第三电极。利用多个第一半导体部向沟道...
    2026-04-30
  • 半导体器件及其制备方法、电子装置
    半导体器件及其制备方法、电子装置_北京大学_202511947088.2
    本申请公开了一种半导体器件及其制备方法、电子装置，半导体器件包括有源区、控制极、第一电极、第二电极与屏蔽结构，有源区包括依次层叠设置的衬底、过渡层、缓冲层、沟道层与势垒层；屏蔽结构设置于势垒层背向衬底的一侧；控制极设置于屏蔽结构背向衬底的一...
    2026-04-30
  • HEMT器件及其制造方法
    HEMT器件及其制造方法_矽力杰半导体技术(杭州)有限公司_202511935922.6
    本发明公开一种HEMT器件及其制造方法，所述HEMT器件包括：衬底；沟道层，位于所述衬底上；第一势垒层，位于所述沟道层上，至少具有两种厚度；再生势垒层，位于所述第一势垒层上，被所述再生势垒层覆盖的所述第一势垒层的厚度小于剩余区域的所述第一势...
    2026-04-30
  • 晶体管的外延结构以及制作方法
    晶体管的外延结构以及制作方法_京东方华灿光电(苏州)有限公司_202511739822.6
    本公开实施例提供了一种晶体管的外延结构以及制作方法，属于半导体技术领域。所述晶体管的外延结构包括GaN沟道层和位于所述GaN沟道层上的势垒层，所述势垒层为InAlN层、InAlGaN层或者AlScGaN层。本公开实施例提供的晶体管的外延结构...
    2026-04-30
  • 用于使用二维电子气的晶体管结构的正导通和负截止衬底偏置
    用于使用二维电子气的晶体管结构的正导通和负截止衬底偏置_英飞凌科技奥地利有限公司_202511457087.X
    一种包括偏置电路的晶体管，当晶体管导通时，该偏置电路将晶体管的衬底偏置到正电压，并且当晶体管截止时，该偏置电路将晶体管的衬底偏置到负电压。该晶体管包括势垒半导体层和紧接位于势垒半导体层之下以与势垒半导体层形成异质结界面的沟道半导体层，异质结...
    2026-04-30
  • 沟槽栅功率器件及其制造方法
    沟槽栅功率器件及其制造方法_上海积塔半导体有限公司_202610290020.X
    本发明提供一种沟槽栅功率器件及其制造方法。方法包括：在半导体衬底正面形成体区、源区及深层屏蔽区；在相邻屏蔽区之间形成栅沟槽并填充栅极结构，使其具有高出衬底正面的第一栅极柱；在栅极柱侧面形成第一侧墙结构，并以此为掩膜在顶部形成第一绝缘保护层，...
    2026-04-30
  • HEMT器件及其制备方法
    HEMT器件及其制备方法_矽力杰半导体技术(杭州)有限公司_202610098276.0
    本发明提供一种HEMT器件及其制备方法，基于图案化的牺牲层至少在栅极结构与漏极结构之间形成一个与漏极结构接触的电子调节层，且电子调节层被配置为三五族化合物，该电子调节层可产生较高的供体状态界面密度以在电子调节层与势垒层的界面处形成更多的正电...
    2026-04-30
  • 西格玛沟槽的制备方法、半导体结构及其制备方法
    西格玛沟槽的制备方法、半导体结构及其制备方法_上海积塔半导体有限公司_202610055878.8
    本发明提供了一种西格玛沟槽的制备方法、半导体结构及其制备方法。本发明通过原位水蒸汽生成氧化工艺将干法刻蚀所形成的沟槽中突出于所述栅极结构的侧墙的半导体衬底原位氧化为氧化层，再湿法清洗去除所述氧化层，所获取的目标沟槽的侧壁与栅极结构的侧墙位于...
    2026-04-30
  • VDMOSFET器件的制备方法
    VDMOSFET器件的制备方法_深圳市金誉半导体股份有限公司_202511757521.6
    本发明涉及功率器件技术领域，具体涉及一种VDMOSFET器件的制备方法，包括：在漂移区的一侧表面形成第一掩膜，第一掩膜包括图形化的多晶硅层，多晶硅层的镂空区域构成第一离子注入窗口；对漂移区进行第一离子注入形成肼区；对多晶硅层进行干氧氧化；对...
    2026-04-30
  • 二维材料生长基底、制造其的方法和使用其的半导体装置
    二维材料生长基底、制造其的方法和使用其的半导体装置_三星电子株式会社_202511242707.8
    提供二维材料生长基底、制造其的方法和使用其的半导体装置。所述二维(2D)材料生长基底包括：半导体基底，具有第一表面和与第一表面相对的第二表面；应变控制缓冲层，形成在半导体基底的第二表面上；表面保护层，形成在半导体基底的第一表面上；以及2D材...
    2026-04-30
  • 半导体元件及其制作方法
    半导体元件及其制作方法_联华电子股份有限公司_202411587087.7
    本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中制作半导体元件的方法主要先提供一基底包含一平面元件区以及一非平面元件区，然后形成多个鳍状结构于非平面元件区，形成第一浅沟隔离环绕平面元件区的基底，形成第二浅沟隔离环绕该等鳍状结构，形成多个第一栅极结...
    2026-04-30
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202411450844.6
    一种半导体结构及其形成方法，半导体结构的形成方法包括：提供基底，基底上形成有包括沟道叠层的凸起结构，沟道叠层包括堆叠的牺牲层和沟道层，基底上还形成有横跨凸起结构的栅极结构，横向去除部分长度的牺牲层，在凸起结构内形成内沟槽；通过多次堆叠操作的...
    2026-04-30
  • 半导体器件及其制造方法、电子设备
    半导体器件及其制造方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202411419023.6
    本申请提供了一种半导体器件及其制造方法、电子设备。该半导体器件的制造方法包括：在衬底上形成具有孔的第一信号线层、填充于孔中的第一牺牲结构、以及覆盖第一信号线层和第一牺牲结构的第一介质层；在第一介质层上形成具有初始通孔的第二信号线层、填充于初...
    2026-04-30
  • MOSFET器件及其制造方法
    MOSFET器件及其制造方法_华润微电子(重庆)有限公司_202411418853.7
    本发明提供了一种MOSFET器件及其制造方法，包括：对半导体衬底执行第一离子注入工艺，形成阱区；利用第一光刻工艺，在半导体衬底上形成图形化的掩膜层，图形化的掩膜层覆盖半导体衬底中的第一部分并暴露出第二部分；在图形化的掩膜层的侧壁上形成侧墙结...
    2026-04-30
  • 纵向SCR型瞬态过压保护器件
    纵向SCR型瞬态过压保护器件_江苏应能微电子股份有限公司_202610313890.4
    本发明提供一种纵向SCR型瞬态过压保护器件，包括：第一导电类型重掺杂半导体衬底；设置在所述第一导电类型重掺杂半导体衬底上的外延层；外延层为第一导电类型轻掺杂高阻外延层，包括位于靠近第一导电类型重掺杂半导体衬底一侧的第一导电类型轻掺杂漂移区；...
    2026-04-30
  • 制造隔离结构晶闸管的方法
    制造隔离结构晶闸管的方法_力特半导体(无锡)有限公司_202411436086.2
    本发明公开了一种制造隔离结构晶闸管的方法。一种晶闸管半导体包括位于衬底的第一表面上的第一层，其中该第一层是第一P层。位于衬底的第二表面上的第二层是第二P层。第二表面与第一表面相对。第三层位于第一层与衬底之间。隔离区位于沿着衬底的边缘。隔离区...
    2026-04-30
  • 半导体结构的形成方法
    半导体结构的形成方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202610079433.3
    一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，包括第一器件区和第二器件区，包括相对的第一面和第二面，衬底内具有第一掺杂区；在第一器件区形成第一器件结构，包括：位于所述第一器件区内的栅极结构和位于第一器件区的发射极；在第二器件区形成第二器件结构，...
    2026-04-30
  • 双极性结晶体管
    双极性结晶体管_联华电子股份有限公司_202411545436.9
    本发明公开一种双极性结晶体管，包含一射极区、一基极区、一集极区以及一隔离结构。基极区相邻设置于射极区的一第一侧边，集极区相邻设置于射极区的一第二侧边，隔离结构设置于射极区与基极区之间以及射极区与集极区之间。
    2026-04-30
  • 横向肖特基二极管
    横向肖特基二极管_英飞凌科技德累斯顿公司_202511457086.5
    本公开涉及横向肖特基二极管。公开了一种肖特基二极管。肖特基二极管包括：第一掺杂类型的漂移区(11)；肖特基电极(21)，其连接到肖特基二极管的阳极节点(41)并邻接漂移区(11)；肖特基触点(22)，其形成在肖特基电极(21)和漂移区(11...
    2026-04-30
  • 可缓解电流突变的快恢复二极管及制备方法
    可缓解电流突变的快恢复二极管及制备方法_江苏芯长征微电子集团股份有限公司_202610044860.8
    本发明涉及一种可缓解电流突变的快恢复二极管及制备方法。按照本发明提供的技术方案，一种可缓解电流突变的快恢复二极管，所述快恢复二极管包括：半导体基板，至少包括N型漂移区；有源区，分布于半导体基板的中心区，包括若干并列排布的元胞，其中，对于任一...
    2026-04-30
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