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最新专利技术
  • 一种刻蚀及去胶清洗一体化设备及刻蚀及去胶清洗方法
    一种刻蚀及去胶清洗一体化设备及刻蚀及去胶清洗方法_西安龙威半导体有限公司_202511967811.3
    本发明公开了一种刻蚀及去胶清洗一体化设备及刻蚀及去胶清洗方法，设备，包括：上料装置，用于承载装载有若干晶圆的晶圆盒；干法刻蚀装置，用于对晶圆进行干法刻蚀；传输通道，用于将晶圆加热至第一预设温度，并将处于第一预设温度的晶圆传输至湿法去胶清洗一...
    2026-04-25
  • 支撑机构、反应装置和半导体薄膜沉积设备
    支撑机构、反应装置和半导体薄膜沉积设备_江苏微导纳米科技股份有限公司_202511923203.2
    本申请提供了一种支撑机构、反应装置和半导体薄膜沉积设备，该支撑机构包括支撑杆、加热盘和进气通道；加热盘具有相互背离的第一表面和第二表面，支撑杆支撑于第一表面，第二表面用于放置基片；进气通道的进口位于加热盘的第一表面，进气通道的出口位于加热盘...
    2026-04-25
  • 基于探针的探测高度对位检测方法、计算机设备及系统
    基于探针的探测高度对位检测方法、计算机设备及系统_江西耀驰科技有限公司_202511917395.6
    本发明公开了一种基于探针的探测高度对位检测方法、计算机设备及系统，涉及半导体技术领域，所述方法包括：将晶圆装载至测试机台上；驱动扫描设备扫描所述晶圆，以对所述晶圆进行定位并生成晶圆图；在所述晶圆上构建至少两个探测点；驱动测试机台分别测量各探...
    2026-04-25
  • 一种晶圆自动取放校准打标设备及其取放校准打标方法
    一种晶圆自动取放校准打标设备及其取放校准打标方法_苏州天弘激光股份有限公司_202511865041.1
    本发明公开了一种晶圆自动取放校准打标设备及其取放校准打标方法。该设备包括机架、两个供料机构、搬运机构、定位校准机构、激光打标机构，其中，供料机构、搬运机构、定位校准机构和激光打标机构均安装在机架上，供料机构和定位校准机构均位于搬运机构的移动...
    2026-04-25
  • 一种具有截断功能的硅光半导体封装设备
    一种具有截断功能的硅光半导体封装设备_滨海箐科仪智能科技有限公司_202511782934.X
    本发明公开了一种具有截断功能的硅光半导体封装设备，涉及到半导体加工设备技术领域，包括：机架，活动机头，定位相机，激光头支座以及放料摆臂。本发明通过设置连接框、导风罩与半导体放置座，在对硅光半导体进行激光截断时，连接框、导风罩与半导体放置座在...
    2026-04-25
  • 蚀刻装置
    蚀刻装置_三星显示有限公司_202511437023.3
    一种蚀刻装置包括掩模部，掩模部包括：第一掩模，设置在目标基底的表面上；第二掩模，设置在表面上，并且第二掩模在第一方向上与第一掩模间隔开；以及第三掩模，设置在目标基底的与表面相背的另一表面上。蚀刻装置还包括粘合剂层，粘合剂层包括：第一粘合剂层...
    2026-04-25
  • 基片处理装置和基片处理方法
    基片处理装置和基片处理方法_东京毅力科创株式会社_202511369868.3
    本发明提供基片处理装置和基片处理方法。基片处理装置包括处理容器、压力检测部、温度检测部和控制部。处理容器对内部的基片进行干燥处理。干燥处理包括使处理容器内升压的升压步骤。压力检测部检测处理容器内的处理流体的压力。温度检测部检测处理容器内的处...
    2026-04-25
  • 基板处理装置、物品的制造方法
    基板处理装置、物品的制造方法_佳能株式会社_202511261872.8
    本发明提供与以往相比能够降低配置在基板之上的溶液膜所含的溶剂的干燥速度的不均的基板处理装置、物品的制造方法。基板处理装置的特征在于，具备：容器；减压机构，能够对容器的内部进行减压；基板保持部，能够保持具有膜的基板，配置在容器的内部；罩单元，...
    2026-04-25
  • 一种半导体设备
    一种半导体设备_江苏天芯微半导体设备有限公司_202610297056.0
    本发明提供一种半导体设备，包括工艺腔室及与该腔室连通的氢裂解装置。氢裂解装置包含供气组件、依次连接的第一气道和第二气道。第一气道上设置加热组件，用于将氢气加热至裂解温度以生成氢原子；第二气道设置冷却组件，用于将氢原子冷却至300℃至预清洁温...
    2026-04-25
  • 带多级喷淋清洗和真空红外干燥清洗机结构的单晶硅片超声清洗机
    带多级喷淋清洗和真空红外干燥清洗机结构的单晶硅片超声清洗机_大连理工大学滇西产业发展研究院_202512023093.0
    本发明涉及清洗机技术领域，具体为带多级喷淋清洗和真空红外干燥清洗机结构的单晶硅片超声清洗机，包括清洗座以及安装于清洗座顶端的托料装置，清洗座顶面沿圆周依次开设有超声清洗腔、臭氧水喷淋腔、氢氟酸喷淋腔、碱性喷淋腔、酸性喷淋腔以及真空红外干燥腔...
    2026-04-25
  • 一种新型集成电路解键合工艺方法
    一种新型集成电路解键合工艺方法_日月新先进技术研究(昆山)有限公司_202511985502.9
    本发明公开了一种新型集成电路解键合工艺方法，属于集成电路技术领域。包括：准备玻璃基板；于所述玻璃基板上设置LAL层；于所述LAL层上涂布并固化第一层介质层；对所述第一层介质层进行曝光、显影，形成开窗部分；所述开窗部分保留部分第一介质层；构建...
    2026-04-25
  • 一种基于紫外光固化的晶圆切割胶带的制备方法
    一种基于紫外光固化的晶圆切割胶带的制备方法_上海精珅新材料有限公司_202610303657.8
    本发明涉及半导体封装技术领域，尤其涉及一种基于紫外光固化的晶圆切割胶带的制备方法，包括获取当前基材厚度对应的基准拉伸率确定基膜延展风险系数，获取目标干胶层厚度确定胶层厚度系数，基于基膜延展风险系数和胶层厚度系数确定胶层动态粘性保持指数以确定...
    2026-04-25
  • 基板处理方法和基板处理装置
    基板处理方法和基板处理装置_东京毅力科创株式会社_202511349711.4
    本发明提供一种基板处理方法和基板处理装置，能够利用药液高效地对基板进行处理。本公开的一个方式的基板处理方法包括保持工序、浸渍工序、加压工序以及照射工序。在保持工序中，将表面具有抗蚀膜的基板在能够密闭的处理空间内水平地保持。在浸渍工序中，向处...
    2026-04-25
  • 一种外延片上残留铟球的处理方法
    一种外延片上残留铟球的处理方法_福建兆元光电有限公司_202610045193.5
    本发明公开了一种外延片上残留铟球的处理方法，包括以下步骤：S1、将表面带有铟球残留的外延片浸入BOE蚀刻液中进行处理；S2、将外延片充分冲洗并进行干燥处理；S3、将外延片浸入511清洗液中进行处理；S4、将外延片充分冲洗并进行干燥处理，得到...
    2026-04-25
  • 一种简易漂浮式湿法面刻蚀方法及装置
    一种简易漂浮式湿法面刻蚀方法及装置_西安电子科技大学芜湖研究院_202511878531.5
    本申请提供了一种简易漂浮式湿法面刻蚀方法及装置，该装置包括卡塞容器主体，在卡塞容器主体沿内壁一圈自上而下设置有多个槽位，每个槽位距离卡塞容器主体底面的高度不同，槽位上用于放置晶圆，卡塞容器主体内配备有湿法药液，使得晶圆的刻蚀面接触所述湿法药...
    2026-04-25
  • 一种极低功率干法刻蚀氮化硅的方法
    一种极低功率干法刻蚀氮化硅的方法_合肥芯谷微电子股份有限公司_202610314107.6
    本发明涉及氮化硅刻蚀技术领域，具体为一种极低功率干法刻蚀氮化硅的方法，包括以下步骤：S1.将待刻蚀工件固定于等离子体刻蚀机的卡盘上，关闭腔室后抽真空至腔室本底压力≤2mTorr；S2.向腔室通入复合刻蚀气体；S3.启动脉冲射频电源激励复合气...
    2026-04-25
  • 蚀刻方法
    蚀刻方法_株式会社爱发科_202511400190.0
    本申请提供一种蚀刻方法，将形成于氮化硅膜的表面的自然氧化膜除去。包括：在向蚀刻对象供给氟化氢气体后供给自由基，由此蚀刻氮化硅膜的表面氧化物层(步骤S 13、步骤S 14)；和，多次重复向表面氧化物层已被蚀刻的蚀刻对象供给氟化氢气体后供给自由...
    2026-04-25
  • 一种显示驱动半导体芯片的刻蚀装置
    一种显示驱动半导体芯片的刻蚀装置_深圳市科立迅电子有限公司_202610049818.5
    本发明涉及一种显示驱动半导体芯片的刻蚀装置，属于半导体制造技术领域。包括本体，所述本体前端设有吸附组件，所述吸附组件底部设有移动组件，所述吸附组件包括顶盖，所述顶盖顶部转动连接有转动盘，所述转动盘顶部中心位置固定安装有伺服电机一。本发明通过...
    2026-04-25
  • 激光退火的均匀化控制方法、系统、设备及存储介质
    激光退火的均匀化控制方法、系统、设备及存储介质_重庆芯联微电子有限公司_202511795362.9
    本申请提供一种激光退火的均匀化控制方法、系统、设备及存储介质，该方法包括：基于晶圆尺寸和激光参数，通过扫描路径算法动态计算生成非连续相邻扫描路径序列，并按照所述非相邻扫描路径序列进行跳跃式扫描；实时监控所述跳跃式扫描的扫描进度并重复执行所述...
    2026-04-25
  • 一种图案轮廓通过低温离子注入工艺的优化方法
    一种图案轮廓通过低温离子注入工艺的优化方法_腾云创芯半导体材料(上海)有限公司_202512007714.6
    本发明公开一种图案轮廓通过低温离子注入工艺的优化方法，其属于集成电路制造技术领域，其包括：获得待优化的材料；对待优化的材料进行低温离子注入，以在薄膜层非镂空部分的竖向侧壁上生成非晶层；通过湿法刻蚀将非晶层以及掩膜层清洗去除，获得薄膜层上优化...
    2026-04-25
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