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最新专利技术
  • 一种电子元器件制造设备
    一种电子元器件制造设备_江西微视光学科技有限公司_202610220649.7
    本发明涉及电子元器件制造技术领域，特别涉及一种电子元器件制造设备。包括制造平台，所述制造平台的顶部开设有加工槽；所述加工槽的底板设有循环盘；所述循环盘的顶部呈环形阵列分布设有若干组基板限位机构。本发明通过在控制若干组升降环从内向外依次下降至...
    2026-05-11
  • 高铁全域通信设备生产中的参数协同控制系统
    高铁全域通信设备生产中的参数协同控制系统_湖南澳德信息科技有限公司_202610443992.8
    本发明涉及电力电子技术领域，公开了一种高铁全域通信设备生产中的参数协同控制系统，包括：受控负载特性提取模块，用于采集负载接入执行单元在能量耦合阶段产生的反向拉伸阻力数据并计算界面能量活性指标；能量流分配调度模块，用于依据指标修正热能功率输出...
    2026-05-11
  • 改善SRAM区域良率的工艺集成方法
    改善SRAM区域良率的工艺集成方法_上海华力集成电路制造有限公司_202610077673.X
    本发明公开了一种改善SRAM区域良率的工艺集成方法，包括：步骤一、提供形成有伪栅极结构的半导体衬底，接触孔刻蚀阻挡层覆盖在伪栅极结构的顶部表面和侧面以及外部表面。步骤二、形成第一层间膜，部分栅间隔区未被完全填充并形成有封闭的空洞，空洞的大小...
    2026-05-11
  • 一种提升晶体管良率工艺方法、晶体管及半导体存储器
    一种提升晶体管良率工艺方法、晶体管及半导体存储器_北京紫光青藤微系统有限公司_202610110642.X
    本公开提供的一种提升晶体管良率的工艺方法、晶体管及半导体存储器，包括：在硅衬底上形成第一栅极层；在第一栅极层背离硅衬底的一侧形成第二栅极；沿平行于硅衬底所在平面的方向上，在第二栅极上形成第一氧化物层；第一氧化物层采用四乙氧基硅烷进行化学气相...
    2026-05-11
  • 半导体器件及其制作方法
    半导体器件及其制作方法_长江存储控股股份有限公司_202411508574.X
    本公开实施例公开了一种半导体器件及其制作方法。该半导体器件包括第一存储芯片；第一存储芯片包括第一晶体管、第一导电结构和第二导电结构；第一晶体管包括位于第一半导体层中的第一有源区和位于第一半导体层的第一侧的第一栅极结构；第一导电结构沿第一半导...
    2026-05-11
  • 半导体结构及其制备方法、存储系统、电子设备
    半导体结构及其制备方法、存储系统、电子设备_长江存储控股股份有限公司_202411508734.0
    本公开提供了一种半导体结构及其制备方法、存储系统、电子设备，涉及半导体芯片技术领域，旨在解决半导体结构尺寸微缩遇到瓶颈的问题。该半导体结构包括电容结构和多个第一沟道结构。多个第一沟道结构沿第一方向层叠设置。电容结构包括多个第一电极结构和第二...
    2026-05-11
  • 存储阵列及其制备方法、存储器、电子设备
    存储阵列及其制备方法、存储器、电子设备_华为技术有限公司_202411551002.X
    本申请实施例提供了一种存储阵列及其制备方法、存储器、电子设备，涉及电子设备技术领域。存储阵列包括堆叠结构、多层沟道层和过渡结构。堆叠结构包括层叠且间隔设置的多层电极层；堆叠结构设有开槽，开槽包括开孔和多个子槽，开孔贯穿多层电极层，多个子槽设...
    2026-05-11
  • 存储器件、电子设备及存储器件的制造方法
    存储器件、电子设备及存储器件的制造方法_华为技术有限公司_202610148095.4
    本公开的实施例提供了存储器件、电子设备及存储器件的制造方法。存储器件包括：第一字线；第一位线，第一字线的延伸方向与第一位线的延伸方向相交；第一电荷储存元件；以及第一晶体管。第一晶体管包括：第一有源区，包括第一区域、第二区域以及位于第一区域和...
    2026-05-11
  • 半导体结构的形成方法
    半导体结构的形成方法_南亚科技股份有限公司_202610166312.2
    提供一种半导体结构的形成方法。所述方法包括以下步骤。形成位元线结构于基板上。形成间隔结构于位元线结构的侧壁上。形成导电层覆盖位元线结构和间隔结构。形成遮罩覆盖导电层。平坦化遮罩以暴露出导电层。凹陷导电层以形成接触栓塞。这种方法可以避免间隔结...
    2026-05-11
  • 半导体存储器装置及其制造方法
    半导体存储器装置及其制造方法_南亚科技股份有限公司_202610189777.X
    一种半导体存储器装置包括第一多晶硅层以及第二多晶硅层。第一多晶硅层具有介于1至1.5之间的高磷对硅(P/S)比例，且设置于基板的至少一沟槽中。第二多晶硅层具有介于0.01至0.09之间的低P/S比例，该第二多晶硅层与该第一多晶硅层接触且设置...
    2026-05-11
  • 一种半导体器件及其制造方法
    一种半导体器件及其制造方法_杭州星原驰半导体有限公司_202610397216.9
    本发明提供的一种半导体器件及其制造方法，其中半导体器件包括衬底、垂直设置的有源柱体、栅介质层、栅极、漏极扩展衬垫层及网格支撑结构。其中，栅介质层仅形成于有源柱体的沟道区域；漏极扩展衬垫层形成于漏极区域侧壁以增大表面积；网格支撑结构形成于漏极...
    2026-05-11
  • RRAM存储器件结构及其制备方法
    RRAM存储器件结构及其制备方法_北京新忆科技有限公司_202610137739.X
    本申请提供了一种RRAM存储器件结构及其制备方法，通过提供连接层，并在连接层内设置具有预设表面曲率的导电通孔，以及将存储单元对应设置在导电通孔上，使得存储单元在形成过程能够与导电通孔的上凸面适配并形成凸起区。本申请提供的RRAM存储器件结构...
    2026-05-11
  • 半导体器件及其制备方法、存储系统
    半导体器件及其制备方法、存储系统_长江存储控股股份有限公司_202411499617.2
    本公开提供了一种半导体器件及其制备方法、存储系统，涉及半导体技术领域，用于提高半导体器件的良率。半导体器件包括：层叠设置的多个第一半导体结构，及设置在相邻的两个所述第一半导体结构之间的键合层。第一半导体结构包括：介质部、引出导线，以及层叠设...
    2026-05-11
  • 电容结构及其制造方法
    电容结构及其制造方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610436485.1
    本申请涉及一种电容结构及其制造方法，包括：提供基底，于基底上形成底部金属层，并于底部金属层上形成图形化的第一掩膜层；对底部金属层进行图形化处理，以形成下极板和对准标记；去除第一掩膜层，于下极板、对准标记和基底上形成介质层；于介质层上依次形成...
    2026-05-11
  • MIM电容及MIM电容制备方法
    MIM电容及MIM电容制备方法_广州增芯科技有限公司_202610170500.2
    本申请涉及半导体技术领域，具体涉及一种MIM电容及MIM电容制备方法，MIM电容包括：基底结构、顶层金属、底层金属以及MIM结构；所述底层金属位于所述基底结构内且靠近所述基底结构的底面，所述顶层金属位于基底结构的表面；所述顶层金属具有镂空区...
    2026-05-11
  • 一种超顺电储能薄膜材料及其制备方法
    一种超顺电储能薄膜材料及其制备方法_湖南大学_202610446015.3
    本发明公开了一种超顺电储能薄膜材料及其制备方法，该超顺电储能薄膜材料包括依次堆叠的衬底层、底电极层和超晶格‑固溶介电层，所述超晶格‑固溶介电层包括超晶格层，所述超晶格层由BaTiO3层和SrTiO3层依次交替堆叠而成，超晶格层中分布有固溶体...
    2026-05-11
  • 一种柔性超顺电储能薄膜材料及其制备方法
    一种柔性超顺电储能薄膜材料及其制备方法_湖南大学_202610446029.5
    本发明公开了一种柔性超顺电储能薄膜材料及其制备方法，该柔性超顺电储能薄膜材料包括依次堆叠的柔性衬底层、缓冲层、底电极层和多相固溶‑超晶格层，多相固溶‑超晶格层包括超晶格层，超晶格层包括依次交替堆叠于底电极层上的BaTiO3层和SrTiO3层...
    2026-05-11
  • 电容器和显示面板
    电容器和显示面板_惠科股份有限公司_202610450516.9
    本申请提供了一种电容器和显示面板。通过在不同温度下使第三电极与第一电极或第二电极连接，可随温度动态改变电容器的电容值，从而改善不同温度下相同电容会导致像素充电程度差异的问题。
    2026-05-11
  • 一种采用斜场板和NiO异质结的Ga2O3二极管及其制备方法
    一种采用斜场板和NiO异质结的Ga2O3二极管及其制备方法_西安电子科技大学_202610127622.3
    本发明公开了一种采用斜场板和NiO异质结的Ga2O3二极管及其制备方法，该二极管自下而上依次包括：阴极欧姆接触电极、n型Ga2O3衬底、n型Ga2O3外延层、复合介质层、位于p型氧化物层以及部分斜场板表面的阳极欧姆接触电极，其中，复合介质层...
    2026-05-11
  • 一种低结电容对称型瞬态电压抑制二极管及其制备方法
    一种低结电容对称型瞬态电压抑制二极管及其制备方法_山东浪潮慧芯微电子科技有限公司_202610032520.3
    本发明涉及一种低结电容对称型瞬态电压抑制二极管及其制备方法，该制备方法包括硅片清洗、N型掺杂、氧化、光刻、去氧化层、开槽腐蚀、钝化、表面腐蚀、制作电极、金属剥离及切割步骤；其中，N型掺杂步骤是以POCl3作为气相磷源，对硅片进行双面同步扩散...
    2026-05-11
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