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龙图腾网获悉上海赋昇科技有限公司申请的专利桥接芯片晶粒、存储设备与电子系统获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224232176U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202521193849.5，技术领域涉及：G06F13/40；该实用新型桥接芯片晶粒、存储设备与电子系统是由徐晓画设计研发完成，并于2025-06-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本桥接芯片晶粒、存储设备与电子系统在说明书摘要公布了：提供了桥接芯片晶粒、存储设备与电子系统。所提供的桥接芯片晶粒，用于连接至少一个DRAM芯片晶粒；其中，所述桥接芯片晶粒用于与所述至少一个DRAM芯片晶粒通过3D封装集成在一起；所述桥接芯片晶粒包括一个或多个UCIe接口、多个DRAM控制器、Cache控制器、以及SRAM；所述多个DRAM控制器的每个用于访问对应的DRAM块；所述多个DRAM控制器的每个包括3DDRAM接口；当所述桥接芯片晶粒的主平面与所述至少一个DRAM芯片晶粒中的第一DRAM芯片晶粒的主平面贴合时，每个DRAM控制器的3DDRAM接口与所述第一DRAM芯片晶粒的各个DRAM块的DRAM接口对应连接；所述Cache控制器与所述SRAM作为所述至少一个DRAM芯片晶粒的Cache。

本实用新型桥接芯片晶粒、存储设备与电子系统在权利要求书中公布了：1.一种桥接芯片晶粒，其特征是，用于连接至少一个DRAM芯片晶粒；其中，所述至少一个DRAM芯片晶粒的每个包括多个DRAM块，所述桥接芯片晶粒用于与所述至少一个DRAM芯片晶粒通过3D封装集成在一起； 所述桥接芯片晶粒包括一个或多个UCIe接口、多个DRAM控制器、Cache控制器、以及SRAM； 所述多个DRAM控制器的每个用于访问对应的DRAM块，不同DRAM控制器各自对应的DRAM块彼此不同； 所述多个DRAM控制器的每个包括3DDRAM接口，所述3DDRAM接口占据所述桥接芯片晶粒的主平面的指定位置，用于连接对应的DRAM块；当所述桥接芯片晶粒的主平面与所述至少一个DRAM芯片晶粒中的第一DRAM芯片晶粒的主平面贴合时，每个DRAM控制器的3DDRAM接口与所述第一DRAM芯片晶粒的各个DRAM块的DRAM接口对应连接； 所述Cache控制器与所述SRAM作为所述至少一个DRAM芯片晶粒的Cache，以及所述SRAM作为所述Cache控制器的Cache行。

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