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龙图腾网获悉北一半导体科技(广东)有限公司申请的专利一种高功率密度SiC功率模块的封装方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121816111B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610291489.5，技术领域涉及：H10W95/00；该发明授权一种高功率密度SiC功率模块的封装方法是由毕婉晴;李明达设计研发完成，并于2026-03-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高功率密度SiC功率模块的封装方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种高功率密度SiC功率模块的封装方法，涉及半导体加工领域。该高功率密度SiC功率模块的封装方法提供功率芯片、第一基板、第二基板、多个导电柱以及散热外壳等关键部件，通过特定工艺步骤实现模块的组装与封装。该高功率密度SiC功率模块的封装方法构建了低寄生电感的三维立体功率回路，克服了传统平面键合线封装回路面积大、寄生参数高的缺陷，同时，拓展了散热路径，降低了模块热阻，增强了绝缘与保护，整体上在单一工艺框架内协同降低了寄生电感、改善了散热并提高了结构紧凑性，为实现高功率密度、高性能的SiC功率模块提供了可靠的封装解决方案。

本发明授权一种高功率密度SiC功率模块的封装方法在权利要求书中公布了：1.一种高功率密度SiC功率模块的封装方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤： 步骤S1、提供功率芯片1、第一基板2、第二基板3、多个导电柱4以及散热外壳5； 步骤S2、在所述第一基板2上形成高热导率连接层21，并将所述功率芯片1通过所述高热导率连接层21固定于所述第一基板2； 步骤S3、利用导电夹具将所述功率芯片1的上表面电极电气连接至所述第二基板3； 步骤S4、将所述第二基板3与所述第一基板2通过所述多个导电柱4进行垂直互连，以构建三维功率回路； 步骤S5、将所述散热外壳5配置为分别与所述第一基板2和所述第二基板3的外侧热接触，以形成双面散热结构； 步骤S6、在由所述第一基板2、第二基板3、散热外壳5及功率芯片1围成的内部空间中填充灌封胶， 在所述步骤S6之前，还包括集成信号转接板7的步骤： 提供集成有驱动电路与传感电路的信号转接板7； 将所述信号转接板7安装于所述第一基板2或第二基板3的侧部区域； 采用短线连接方式将所述信号转接板7的控制信号输出端与所述功率芯片1的控制电极连接， 所述信号转接板7包括温度传感器和或电流传感器；所述传感电路配置为： 将所述温度传感器的感温点贴近所述功率芯片1的封装区域； 将所述电流传感器的检测端串联于所述功率芯片1的功率回路中，利用所述温度传感器和所述电流传感器对模块工作状态进行实时监测与控制。

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