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龙图腾网获悉安徽大学;中国电子科技集团公司第三十八研究所申请的专利基于铌酸锂薄膜的13GXBAR滤波器设计方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121706503B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610183133.X，技术领域涉及：G06F30/23；该发明授权基于铌酸锂薄膜的13GXBAR滤波器设计方法是由陈士涛;薛行彤;殷秋鹏;汪伟;黄志祥设计研发完成，并于2026-02-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于铌酸锂薄膜的13GXBAR滤波器设计方法在说明书摘要公布了：本发明涉及射频滤波器技术领域，具体地说，涉及基于铌酸锂薄膜的13GXBAR滤波器设计方法。通过有限元仿真软件中对铌酸锂薄膜的欧拉角进行仿真设置，得到不同切角下的导纳响应，得到具有较大的机电耦合系数，同时对于杂散模态完全抑制的导纳曲线，使用该切向角，对电极材料，叉指对数，叉指间距，薄膜厚度，金属化率进行仿真，得到每个谐振器的阻抗，获得相对应的谐振器的材料参数，构建出铌酸锂谐振器的三维力‑电耦合模型，将该物理模型通过场路耦合法在有限元仿真软件里面进行版图设计，将力‑电‑声多物理场耦合，得到所设计的XBAR滤波器的S参数曲线，并验证S参数结果是否与目标相一致，实现了全仿真驱动的正向设计。

本发明授权基于铌酸锂薄膜的13GXBAR滤波器设计方法在权利要求书中公布了：1.基于铌酸锂薄膜的13GXBAR滤波器设计方法，其特征在于，包括： 步骤S1、晶体切型优化：在有限元仿真软件中，对铌酸锂薄膜的晶体欧拉角进行参数化扫描与优化，以在目标频段获得最优机电耦合系数且杂散模态完全抑制为判断依据，确定晶体切向； 步骤S2、结构参数确定：基于所述确定的晶体切向，在有限元仿真软件中建立XBAR谐振器的三维模型，对电极材料、叉指结构参数和薄膜厚度进行参数化仿真，确定满足目标中心频率要求的最优结构参数组合； 步骤S3、有限元建模与验证：利用所述最优结构参数组合，构建XBAR谐振器的三维力-电耦合有限元模型，通过频域求解获得其随频率变化的复数阻抗数据，并验证模型的准确性； 步骤S4、声-电-磁联合仿真：将步骤S3获得的谐振器的复数阻抗数据，通过等效介电常数公式计算得到随频率变化的等效相对介电常数；在三维电磁仿真软件中构建XBAR滤波器的版图模型，将计算得到的等效介电常数导入该模型中的压电层材料属性中，进行声-电-磁联合仿真，获取滤波器的S参数，并依据仿真结果对设计进行验证与优化。

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