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龙图腾网获悉西北工业大学申请的专利一种低失配超宽带有源巴伦获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121602959B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610113585.0，技术领域涉及：H03H11/32；该发明授权一种低失配超宽带有源巴伦是由李臻;张洵颖;段世泽;崔媛媛;赵晓冬设计研发完成，并于2026-01-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种低失配超宽带有源巴伦在说明书摘要公布了：本发明公开了一种低失配超宽带有源巴伦，模拟集成电路技术领域，包括：依次设置的第一级放大器和第二级放大器。第一级放大器采用差分结构，最终实现单端信号到等幅反相的差分信号的转换。第二级放大器隔离后级负载对前级的影响，确保差分信号对称性。在第二级放大器中，第七NMOS晶体管和第十NMOS晶体管形成正反馈；通过引入交叉耦合电容增加了第八NMOS晶体管和第九NMOS晶体管的栅源电压差，形成电压回收，相较于传统有源巴伦，本发明的第二级放大器通过正反馈将输出信号的相位和幅度失配减小的同时扩展了带宽，利用源极电压回收增大了栅源信号幅度，增强了等效跨导，进一步稳定了输出信号的相位和幅度。

本发明授权一种低失配超宽带有源巴伦在权利要求书中公布了：1.一种低失配超宽带有源巴伦，其特征在于，包括：依次设置的第一级放大器和第二级放大器； 所述第一级放大器采用差分对结构，实现单端信号到等幅反相的差分信号的转换，消除共模传输的不平衡信号，从而得到平衡的输出信号； 所述第二级放大器，采用正反馈结构和电压回收结构；利用正反馈结构减少平衡的输出信号的相位和幅度失配的同时扩展带宽；利用电压回收结构增加自身接收的输入信号的幅度，等效提升了跨导，进一步稳定输出信号的相位和幅度，以实现幅相平衡，输出放大后的信号；在所述第二级放大器中，第七NMOS晶体管M7和第十NMOS晶体管M10构成正反馈结构； 所述电压回收结构，包括： 第八NMOS晶体管M8、第九NMOS晶体管M9、第一电容C1和第二电容C2； 所述电压回收结构通过第一电容C1和第二电容C2将对侧输出节点的电压耦合至第八NMOS晶体管M8和第九NMOS晶体管M9的栅极，增强自身内部晶体管的栅源电压的幅值，以增强第八NMOS晶体管M8和第九NMOS晶体管M9的等效跨导，同时在高频下抵消内部晶体管的栅源寄生电容； 在所述电压回收结构中，所述第一电容C1和第二电容C2构成交叉耦合电容，通过引入交叉耦合电容增加了第八NMOS晶体管M8和第九NMOS晶体管M9的栅源电压的幅值，在第八NMOS晶体管和第九NMOS晶体管的跨导不变的情况下，实现电流倍增，同时在高频下抵消第八NMOS晶体管M8和第九NMOS晶体管M9的栅源寄生电容； 所述第七NMOS晶体管M7的源极分别与第八NMOS晶体管M8的源极、第一电容C1的第一端连接，栅极分别与第九NMOS晶体管M9的漏极、第十NMOS晶体管M10的漏极连接，漏极分别与第八NMOS晶体管M8的漏极、第十NMOS晶体管M10的栅极连接；第七NMOS晶体管M7的栅极与第十NMOS晶体管M10的栅极作为所述第二级放大器的差分输出端； 所述第十NMOS晶体管M10的源极分别与第九NMOS晶体管M9的源极、第二电容C2的第一端连接。

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