武汉安湃光电有限公司陶诗琦获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉安湃光电有限公司申请的专利一种用于MZI结构的防串扰多模干涉耦合器获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224216909U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-08发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202521032256.0，技术领域涉及：G02B6/293；该实用新型一种用于MZI结构的防串扰多模干涉耦合器是由陶诗琦;袁帅;孙昊骋设计研发完成，并于2025-05-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种用于MZI结构的防串扰多模干涉耦合器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种用于MZI结构的防串扰多模干涉耦合器，耦合器具体包括：一个单模输入波导一个多模干涉区波导、两个单模输出波导、两个杂散光输出波导和两个杂散光干涉区波导和两个金属吸收区；所述金属吸收区、所述杂射光干涉区、所述杂散光输出波导、所述多模干涉区波导和所述单模输出波导顺序相连，耦合器以单模输入波导为轴对称。
本实用新型一种用于MZI结构的防串扰多模干涉耦合器在权利要求书中公布了：1.一种用于MZI结构的防串扰多模干涉耦合器，其特征在于，所述耦合器包括基底层、一个单模输入波导、一个多模干涉区波导、两个单模输出波导、两个杂散光输出波导、两个杂散光干涉区波导和两个金属吸收区； 所述金属吸收区、所述杂散光干涉区波导、所述杂散光输出波导、所述多模干涉区波导和所述单模输出波导顺序相连； 所述单模输入波导、所述多模干涉区波导、所述单模输出波导、所述杂散光输出波导、所述杂散光干涉区波导和所述金属吸收区均布设在所述基底层上； 所述耦合器是以单模输入波导为轴对称的耦合器。
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