杭州瑞盟科技股份有限公司严先蔚获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州瑞盟科技股份有限公司申请的专利一种MOS管电流采样电路及电子设备获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224216774U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-08发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520897817.7，技术领域涉及：G01R19/25；该实用新型一种MOS管电流采样电路及电子设备是由严先蔚;赵铮;崔珂瑜设计研发完成，并于2025-05-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种MOS管电流采样电路及电子设备在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种MOS管电流采样电路及电子设备，涉及MOS管电流采样技术领域，该电路包括栅极电压调整电路、镜像MOS管和第一电阻；栅极电压调整电路的第一端与主MOS管的栅极连接，栅极电压调整电路的第二端与镜像MOS管的栅极连接；镜像MOS管的源极和主MOS管的源极均接入源极电压，镜像MOS管的漏极与第一电阻的第一端连接；第一电阻的第二端和主MOS管的漏极均接入漏极电压。可见，本申请通过栅极电压调整电路改变主MOS管的栅极电压和镜像MOS管的栅极电压以调整镜像比例，实现用一个镜像MOS管对镜像比例进行高精度和宽范围的修调，经济性好。
本实用新型一种MOS管电流采样电路及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种MOS管电流采样电路，其特征在于，包括栅极电压调整电路、镜像MOS管和第一电阻； 所述栅极电压调整电路的第一端与主MOS管的栅极连接，所述栅极电压调整电路的第二端与所述镜像MOS管的栅极连接，所述栅极电压调整电路用于输出可调的所述主MOS管的栅极电压和可调的所述镜像MOS管的栅极电压； 所述镜像MOS管的源极和所述主MOS管的源极均接入源极电压，所述镜像MOS管的漏极与所述第一电阻的第一端连接； 所述第一电阻的第二端和所述主MOS管的漏极均接入漏极电压。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人杭州瑞盟科技股份有限公司，其通讯地址为：310053 浙江省杭州市滨江区浦沿街道伟业路1号九号楼701室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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