深圳云芯晨半导体科技有限公司陈林文获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳云芯晨半导体科技有限公司申请的专利一种化合物半导体薄膜共振腔体结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224216164U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-08发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202521485951.2，技术领域涉及：G01H9/00；该实用新型一种化合物半导体薄膜共振腔体结构是由陈林文;黄绍剑;肖劼设计研发完成，并于2025-07-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种化合物半导体薄膜共振腔体结构在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种化合物半导体薄膜共振腔体结构，包括锗晶圆衬底，所述锗晶圆衬底的顶面开设有多个阵列分布的薄膜共振腔体，所述薄膜共振腔体通过光刻工艺在锗晶圆衬底顶面开设形成，每个所述薄膜共振腔体的内部靠近中部均设置有氧化铝反射镀膜层，所述氧化铝反射镀膜层的左右边侧利用光刻技术分别设有高60μm、宽500μm的蓝宝石层高脚，所述蓝宝石层高脚与氧化铝反射镀膜层为一体结构并通过MOCVD技术选择性生长形成，该结构通过薄膜共振腔体微型化设计与阵列分布满足集成化需求，MOCVD一体化工艺减少组装误差，避免传统环氧树脂粘贴的界面分层问题，实现了小型化、高灵敏度与高可靠性的统一，克服声压响应灵敏度不足的问题。
本实用新型一种化合物半导体薄膜共振腔体结构在权利要求书中公布了：1.一种化合物半导体薄膜共振腔体结构，包括锗晶圆衬底1，其特征在于：所述锗晶圆衬底1的顶面开设有多个阵列分布的薄膜共振腔体2，所述薄膜共振腔体2通过光刻工艺在锗晶圆衬底1顶面开设形成，每个所述薄膜共振腔体2的内部靠近中部均设置有氧化铝反射镀膜层3，所述氧化铝反射镀膜层3的左右边侧利用光刻技术分别设有高60μm、宽500μm的蓝宝石层高脚4，所述蓝宝石层高脚4与氧化铝反射镀膜层3为一体结构并通过MOCVD技术选择性生长形成，左侧所述蓝宝石层高脚4用于将光信号输入至氧化铝反射镀膜层3，右侧所述蓝宝石层高脚4用于将反射调制后的光信号传输至外部光电探测器。
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