瑶曦科技(厦门)有限公司邓洲获国家专利权
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龙图腾网获悉瑶曦科技(厦门)有限公司申请的专利一种VB法生长氧化镓单晶的坩埚结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224212822U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-08发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520897843.X，技术领域涉及：C30B11/00；该实用新型一种VB法生长氧化镓单晶的坩埚结构是由邓洲;蓝高武设计研发完成，并于2025-05-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种VB法生长氧化镓单晶的坩埚结构在说明书摘要公布了：本实用新型涉及氧化镓晶体生长技术领域，公开了一种VB法生长氧化镓单晶的坩埚结构，其包括：坩埚外壳、籽晶腔、扩径腔、缩径腔、扩肩腔和等径腔，坩埚外壳内设有籽晶腔、扩径腔、缩径腔、扩肩腔和等径腔，籽晶腔设置在坩埚外壳的一端部，且籽晶腔的一端为封闭设置，籽晶腔的另一端连接扩径腔，扩径腔连接缩径腔，缩径腔连接扩肩腔，扩肩腔连接等径腔，等径腔的另一端为开口设置。通过对氧化镓生长技术的合理化设计，采用坩埚外壳、籽晶腔、扩径腔、缩径腔、扩肩腔和等径腔，可实现氧化镓晶体生长和降温时与坩埚壁相分离，不容易出现位错增殖和孪晶结构，降低晶体位错密度，改善半导体芯片性能。该坩埚结构可制备低位错密度的圆柱状氧化镓单晶。
本实用新型一种VB法生长氧化镓单晶的坩埚结构在权利要求书中公布了：1.一种VB法生长氧化镓单晶的坩埚结构，其特征在于，所述坩埚结构包括：坩埚外壳、籽晶腔、扩径腔、缩径腔、扩肩腔和等径腔，所述坩埚外壳内设有所述籽晶腔、扩径腔、缩径腔、扩肩腔和等径腔，所述籽晶腔设置在所述坩埚外壳的一端部，且所述籽晶腔的一端为封闭设置，所述籽晶腔的另一端连接所述扩径腔，所述扩径腔连接所述缩径腔，所述缩径腔连接所述扩肩腔，所述扩肩腔连接所述等径腔，所述等径腔的另一端为开口设置。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人瑶曦科技(厦门)有限公司，其通讯地址为：361021 福建省厦门市厦门火炬高新区软件园三期集美大道1995号1201室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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