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龙图腾网获悉湖南工商大学申请的专利基于运行态注入的SRAM存算抗辐照测试方法与系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121658302B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610164839.1，技术领域涉及：G06F11/22；该发明授权基于运行态注入的SRAM存算抗辐照测试方法与系统是由丁玎;马敖;谭沛;龙鹏;张齐一设计研发完成，并于2026-02-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于运行态注入的SRAM存算抗辐照测试方法与系统在说明书摘要公布了：本申请涉及SRAM存算抗辐照测试技术领域，公开了一种基于运行态注入的SRAM存算抗辐照测试方法与系统，该方法包括：系统初始化、映射准备与时序基线建立；模型量化编译、敏感度分析与物理位候选生成；运行态注入计划生成与测试用例装载；运行态执行、扰动注入与同步监测采集；多源触发、权重回读与故障解耦判决；抗辐照性能量化评估、退化曲线构建与报告输出。该系统与该方法对应。本申请，构建了一种硬件在环的运行态注入与在线评估技术，实现基于权重位级敏感度与逻辑—物理映射的导向性、位置受限扰动等效辐照注入的技术问题。

本发明授权基于运行态注入的SRAM存算抗辐照测试方法与系统在权利要求书中公布了：1.一种基于运行态注入的SRAM存算抗辐照测试方法，其特征在于，所述方法包括： S10：系统初始化、映射准备与时序基线建立；用于在测试开始前完成：系统上电自检与通信建立、被测SRAM型存算一体芯片工作点配置、逻辑-物理地址映射关系可用性确认、注入采样链路的时序标定与延迟补偿、正常运行电流指纹基线建立，以及关键版本与参数的追溯登记；完成S10后，系统进入可执行模型映射与敏感度分析的就绪状态； S20：模型量化编译、敏感度分析与物理位候选生成；用于在测试执行前完成神经网络模型的定点化处理、逻辑权重在存算阵列上的组织映射、量化位层面的敏感度计算与排序，并结合逻辑-物理映射关系生成用于后续运行态注入的物理敏感位候选集合；完成S20后，得到：量化模型参数、逻辑存储布局、敏感度图谱、物理敏感位候选集合及其置信度与版本追溯信息，为S30的运行态注入计划生成提供输入； S30：运行态注入计划生成与测试用例装载；用于在获得物理敏感位候选集合的基础上，生成确定性执行的运行态注入计划；注入计划以物理注入位置、运行态窗口、触发条件、注入参数、采样策略和回读策略为核心要素，形成结构化测试用例集合，并完成装载与追溯登记；完成S30后，实时具备执行运行态注入与同步监测的全部所需控制信息； S40：运行态执行、扰动注入与同步监测采集；用于在被测SRAM型存算一体芯片执行真实推理存算任务的运行状态下，依据运行态注入计划对指定物理位置实施扰动注入，并在注入事件发生前后进行同步数据采集与事件关联标注；同步采集的数据至少包括：计算输出数据、芯片运行状态数据以及电源域电流电压瞬态数据，并基于电流瞬态数据形成证据特征；写入采集与标注结果用于S50的故障解耦判决； S50：多源触发、权重回读与故障解耦判决；用于在每次运行态注入事件后，基于计算输出异常证据、电流指纹异常证据和回读一致性证据触发并执行故障解耦判决流程；该流程在同一测试闭环中实现对单粒子闩锁、存储型软错误与计算型软错误的区分，并输出故障标签、置信度与可追溯的证据集合，为S60的抗辐照性能量化评估提供结构化输入； S60：抗辐照性能量化评估、退化曲线构建与报告输出；用于对S40至S50形成的注入事件数据、故障标签与证据向量进行汇总统计，得到存储型软错误、计算型软错误与单粒子闩锁在不同注入条件下的发生特性，并在应用层面构建注入强度与计算正确性的映射关系，形成计算正确性退化曲线与多维抗辐照评估指标集合，生成可追溯的评估报告并输出。

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