长鑫科技集团股份有限公司李红文获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫科技集团股份有限公司申请的专利电压调控电路及存储器获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN121641092B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-08发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202610140929.7,技术领域涉及:G11C5/14;该发明授权电压调控电路及存储器是由李红文;尚为兵设计研发完成,并于2026-01-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本电压调控电路及存储器在说明书摘要公布了:本公开提供了一种电压调控电路及存储器。所述电压调控电路包括:电源生成模块、选择控制信号生成模块和电压选择模块。电源生成模块被配置为生成多组晶体管衬底电压;其中,每组晶体管衬底电压分别对应灵敏放大器的至少一种状态。选择控制信号生成模块被配置为基于灵敏放大器当前的状态,生成对应的选择控制信号。电压选择模块被配置为接收多组晶体管衬底电压和选择控制信号,响应于选择控制信号选择对应的一组晶体管衬底电压输出至灵敏放大器中的晶体管的衬底端。
本发明授权电压调控电路及存储器在权利要求书中公布了:1.一种灵敏放大器的电压调控电路,其特征在于,所述电压调控电路包括: 电源生成模块,被配置为生成多组晶体管衬底电压;其中,每组所述晶体管衬底电压分别对应所述灵敏放大器的至少一种状态;每组所述晶体管衬底电压包括:PMOS管衬底电压和NMOS管衬底电压; 选择控制信号生成模块,被配置为基于所述灵敏放大器当前的状态,生成对应的选择控制信号; 电压选择模块,分别连接所述电源生成模块和所述选择控制信号生成模块,被配置为接收所述多组晶体管衬底电压和所述选择控制信号,响应于所述选择控制信号选择对应的一组所述晶体管衬底电压输出至所述灵敏放大器中的晶体管的衬底端。
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