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龙图腾网获悉深圳江原科技有限公司申请的专利一种芯片失效分析方法、装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121541031B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610069341.7，技术领域涉及：G01R31/28；该发明授权一种芯片失效分析方法、装置是由童涛;李万里;王惠临;王晓琳设计研发完成，并于2026-01-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种芯片失效分析方法、装置在说明书摘要公布了：本公开提供了一种芯片失效分析方法、装置，能够解决相关技术无法对先进制程进行失效分析的技术问题。该方法包括：在芯片去层至接触层的情况下，通过对多个金属氧化物半导体MOS管的体二极管的组合测试，以及，对MOS管和体二极管的组合测试，得到电性测量结果；根据电性测量结果，得到芯片的失效分析结果。在芯片去层至接触层即Via0的情况下，利用MOS管的体二极管效应，通过电性量测，直接判断Via0是否异常。利用MOS管的体二极管、体二极管和MOS管组合，在Via0端快速定位，得到芯片的失效分析结果。针对异常的电性测试最多需要三根针，测试时间缩短50%。进而，减少样品表面的积碳，减少分析噪音的引入。

本发明授权一种芯片失效分析方法、装置在权利要求书中公布了：1.一种芯片失效分析方法，其特征在于，所述方法包括： 在芯片去层至接触层的情况下，通过对多个MOS管的体二极管的组合测试，以及，对所述MOS管和所述体二极管的组合测试，得到电性测量结果； 根据所述电性测量结果，得到所述芯片的失效分析结果; 执行在芯片去层至接触层的情况下，通过对多个MOS管的体二极管的组合测试，以及，对所述MOS管和所述体二极管的组合测试，得到电性测量结果的步骤时，所述多个MOS管包括第一MOS管、第二MOS管和第三MOS管； 所述方法包括： 对所述接触层进行电性测试，得到所述接触层的电性测量结果； 在所述第一MOS管的衬底端和源极之间施加电压，基于所述第一MOS管的体二极管的电性曲线，确定所述第一MOS管的源极的电性测量结果； 将所述第一MOS管的栅极固定高电压，将所述第三MOS管的衬底端接地，并且，将所述第一MOS管的源极用阶梯电压扫描，通过测试所述第一MOS管和所述第三MOS管的第二体二极管的电性曲线，确定所述第一MOS管的栅极的电性测量结果，其中，所述第二体二极管是PU1的漏极和BUIK端之间形成的PN结。

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