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龙图腾网获悉电子科技大学(深圳)高等研究院;电子科技大学申请的专利一种单层微带耦合器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121529146B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610044500.8，技术领域涉及：H01P5/18；该发明授权一种单层微带耦合器是由李泽峰;张波;王晓宁;牛中乾;陈宁波;丰益年设计研发完成，并于2026-01-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种单层微带耦合器在说明书摘要公布了：本发明涉及耦合器技术领域，尤其涉及一种单层微带耦合器，该耦合器包括：互相耦合的主微带线和副微带线；主微带线的一端被配置为耦合器的输入端口，用于接收电磁波信号，另一端被配置为直通端口，用于输出信号；副微带线的一端被配置为耦合器的耦合端口，另一端被配置为隔离端口；在主微带线和副微带线之间的耦合度满足紧耦合度条件下，主微带线的非耦合侧和副微带线的非耦合侧均设有三角型挖孔区域，以通过三角型挖孔区域，引导电磁波信号向直通端口和耦合端口传播。通过该耦合器的结构设置，不仅同时实现单层微带耦合器的高方向性和紧耦合度，还能大幅提升单层微带耦合器的方向性，提高单层微带耦合器的性能。

本发明授权一种单层微带耦合器在权利要求书中公布了：1.一种单层微带耦合器，其特征在于，包括：互相耦合的主微带线和副微带线； 所述主微带线的一端被配置为耦合器的输入端口，用于接收电磁波信号，另一端被配置为直通端口，用于输出信号； 所述副微带线的一端被配置为所述耦合器的耦合端口，另一端被配置为隔离端口； 在所述主微带线和所述副微带线之间的耦合度满足紧耦合度条件下，所述主微带线的非耦合侧和所述副微带线的非耦合侧均设有三角型挖孔区域，以通过所述三角型挖孔区域，引导所述电磁波信号向所述直通端口和所述耦合端口传播； 所述紧耦合度条件为所述主微带线和所述副微带线之间的耦合间距范围为1.99微米-2.01微米的条件； 所述主微带线的三角型挖孔区域与所述副微带线的三角型挖孔区域沿着所述主微带线和所述副微带线之间的耦合区域呈对称分布； 每个所述三角型挖孔区域包括：多个矩形孔； 所述多个矩形孔呈间隔分布，且沿所述三角型挖孔区域的中心线呈对称分布； 所述多个矩形孔中深度最大的矩形孔位于所述三角型挖孔区域的中心线上；按照所述三角型挖孔区域的中心线分别往两侧端口的方向，所述矩形孔的深度依次减少； 在所述主微带线的耦合侧和所述副微带线的耦合侧设有矩形齿孔，所述主微带线的矩形齿孔和所述副微带线的矩形齿孔均沿着所述三角型挖孔区域的中心线呈对称分布，且所述主微带线的矩形齿孔与所述副微带线的矩形齿孔呈交错分布。

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