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龙图腾网获悉上海芯跳科技有限公司申请的专利宽电压输入范围的低压降整流桥电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121485498B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610024156.6，技术领域涉及：H02M7/219；该发明授权宽电压输入范围的低压降整流桥电路是由杨阳;郑弘毅;朱志明;金宝全设计研发完成，并于2026-01-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本宽电压输入范围的低压降整流桥电路在说明书摘要公布了：本发明提供了一种宽电压输入范围的低压降整流桥电路，包括：二极管整流电路、低压降辅助结构和其他负载电路；二极管整流电路的输入端与交流输入信号相连，其输出端输出整流后的正电源轨和参考地；低压降辅助结构的输入端与二极管整流电路的输入端并联连接至交流输入信号，其输出端连接至正电源轨和参考地，其控制信号输入端接收高侧控制信号和低侧控制信号；其他负载电路的输入端连接至二极管整流电路和低压降辅助结构的输出端，其输出端输出高侧控制信号和低侧控制信号至低压降辅助结构的控制信号输入端。本发明用高压MOS将宽电压输入范围的交流信号箝位到低压域，并通过交叉耦合的电路结构选通对应侧沟道，从而减小二极管导通时的正向压降。

本发明授权宽电压输入范围的低压降整流桥电路在权利要求书中公布了：1.一种宽电压输入范围的低压降整流桥电路，其特征在于，包括：二极管整流电路、低压降辅助结构和其他负载电路； 所述二极管整流电路的输入端与交流输入信号相连，其输出端输出整流后的正电源轨和参考地； 所述低压降辅助结构的输入端与所述二极管整流电路的输入端并联连接至所述交流输入信号，其输出端连接至所述正电源轨和所述参考地，其控制信号输入端接收高侧控制信号和低侧控制信号； 所述其他负载电路的输入端连接至所述二极管整流电路和所述低压降辅助结构的输出端，其输出端输出所述高侧控制信号和所述低侧控制信号至所述低压降辅助结构的控制信号输入端； 所述二极管整流电路包括第一二极管、第二二极管、第三二极管和第四二极管； 所述第一二极管和第二二极管的阳极均连接到所述参考地，阴极分别连接到交流输入信号的第一输入端和第二输入端； 所述第三二极管和第四二极管的阳极分别连接到所述交流输入信号的第一输入端和第二输入端，阴极均连接到所述正电源轨； 所述低压降辅助结构包括下半桥压降减小电路和上半桥压降减小电路； 所述下半桥压降减小电路包括第一高压NMOS、第二高压NMOS、第三高压NMOS、第四高压NMOS、第一电阻和第二电阻； 所述第一高压NMOS的栅端连接到所述第一电阻的一端，漏端连接到所述第二电阻的一端，源端连接到所述参考地； 所述第二高压NMOS的栅端连接到所述第二电阻的另一端，漏端连接到所述第一电阻的另一端，源端连接到所述参考地； 所述第三高压NMOS的栅端连接到低侧控制信号端，漏端连接到所述交流输入信号的第一输入端，源端连接到所述第一高压NMOS的漏端； 所述第四高压NMOS的栅端连接到低侧控制信号端，漏端连接到所述交流输入信号的第二输入端，源端连接到所述第二高压NMOS的漏端； 所述上半桥压降减小电路包括第一高压PMOS、第二高压PMOS、第三高压PMOS、第四高压PMOS、第三电阻和第四电阻； 所述第一高压PMOS的栅端连接到所述第三电阻的一端，漏端连接到所述第四电阻的一端，源端连接到所述正电源轨； 所述第二高压PMOS的栅端连接到所述第四电阻的另一端，漏端连接到所述第三电阻的另一端，源端连接到所述正电源轨； 所述第三高压PMOS的栅端连接到高侧控制信号端，漏端连接到所述交流输入信号的第一输入端，源端连接到所述第一高压PMOS的漏端； 所述第四高压PMOS的栅端连接到高侧控制信号端，漏端连接到所述交流输入信号的第二输入端，源端连接到所述第二高压PMOS的漏端； 所述其他负载电路包括稳压电容和负载电路； 所述稳压电容的正极板连接到所述正电源轨，其负极板连接到所述参考地； 所述负载电路的输入端连接至所述正电源轨和所述参考地，其输出端输出所述高侧控制信号和所述低侧控制信号。

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