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龙图腾网获悉上海中科飞测半导体科技有限公司申请的专利一种半导体检测设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119438221B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411832878.1，技术领域涉及：G01N21/88；该发明授权一种半导体检测设备是由陈鲁;刘健鹏;梁文军;王福旺;仇志远设计研发完成，并于2024-12-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体检测设备在说明书摘要公布了：本发明涉及光学检测技术领域，尤其涉及一种半导体检测设备，包括：发出复检光的复检光源、发出明场光的明场光源以及发出暗场光的暗场光源，复检光、明场光以及暗场光分别被引导照射晶片表面，复检光经晶片反射形成复检信号光，明场光经晶片反射形成明场信号光，暗场光源经晶片散射形成暗场信号光；光学分离元件，用于收集明场信号光、暗场信号光和复检信号光且进行空间分离，使暗场信号光、明场信号光和复检信号光出射至不同的传输路径以分别成像；其中，暗场光在晶片表面形成的暗场照明光斑、明场光在晶片表面形成的明场照明光斑以及复检光在晶片表面形成的复检照明光斑互不重合。本发明至少有利于提高晶片缺陷检测的检测速度和检测精度。

本发明授权一种半导体检测设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体检测设备，其特征在于，包括： 发出复检光的复检光源、发出明场光的明场光源以及发出暗场光的暗场光源，所述复检光、所述明场光以及所述暗场光分别被引导照射晶片表面，所述复检光经所述晶片反射形成复检信号光，所述明场光经所述晶片反射形成明场信号光，所述暗场光经所述晶片散射形成暗场信号光； 光学分离元件，用于收集所述明场信号光、所述暗场信号光和所述复检信号光且进行空间分离，使所述暗场信号光、所述明场信号光和所述复检信号光出射至不同的传输路径以分别成像； 所述明场信号光、所述暗场信号光和所述复检信号光沿共同光路到达所述光学分离元件，所述光学分离元件具有通孔、第一反射面和第二反射面；入射至所述光学分离元件的所述明场信号光经所述第一反射面反射后射出至第一传输路径，入射至所述光学分离元件的所述暗场信号光经所述第二反射面反射后射出至第二传输路径，入射至所述光学分离元件的所述复检信号光穿过所述通孔射出至第三传输路径； 其中，所述暗场光在所述晶片表面形成的暗场照明光斑、所述明场光在所述晶片表面形成的明场照明光斑以及所述复检光在所述晶片表面形成的复检照明光斑互不重合。

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