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龙图腾网获悉安徽熙泰智能科技有限公司申请的专利一种硅基OLED横向扰流隔断结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117396025B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310662824.4，技术领域涉及：H10K59/12；该发明授权一种硅基OLED横向扰流隔断结构及其制造方法是由请求不公布姓名;请求不公布姓名设计研发完成，并于2023-06-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种硅基OLED横向扰流隔断结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明属于硅基OLED技术领域的硅基OLED横向扰流隔断结构，本发明还涉及一种硅基OLED横向扰流隔断结构的制造方法。在CMOS基板2镀膜，形成阳极图案；在阳极图案上镀膜无机材料层，形成平坦化的无机物膜层4；在平坦化的无机物膜层4上，蒸镀无机材料层，形成叠层，形成Undercut结构；Undercut结构形成后，蒸镀有机发光层3，undercut结构隔断有机发光层3，最后再蒸镀形成阴极层8。本发明的硅基OLED横向扰流隔断结构及其制造方法，结构和步骤简单，解决发光单元间出现电流干扰现象导致相邻显示单元发生偷亮而影响显示效果的问题，提高显示效果。

本发明授权一种硅基OLED横向扰流隔断结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种硅基OLED横向扰流隔断结构的制造方法，其特征在于：所述的硅基OLED横向扰流隔断结构的制造方法的制造步骤为： S1.得到CMOS基板2，然后在CMOS基板2镀膜形成阳极层1，通过涂布、曝光、显影、蚀刻、剥离，形成阳极图案； S2.在阳极图案上镀膜无机材料层，无机材料层厚度大于或等于阳极图案，通过涂布、曝光、显影、蚀刻、剥离，形成平坦化的无机物膜层4； S3.在平坦化的无机物膜层4上，一次性蒸镀第一无机材料层5、第二无机材料层7、第三无机材料层6形成叠层，通过涂布、曝光、显影、蚀刻、剥离，形成Undercut结构，Undercut结构在非像素定义区域； S4.为形成undercut结构，通过调控第一无机材料层5、第二无机材料层7、第三无机材料层6形成的叠层每层之间的刻蚀速率，使用刻蚀速率不同的材料分别构成第一无机材料层5、第二无机材料层7、第三无机材料层6；其中，第二无机材料层7的刻蚀速率大于第一无机材料层5、第三无机材料层6的刻蚀速率；在第一无机材料层5、第二无机材料层7、第三无机材料层6形成的叠层上设置非对称隔断开口，隔断开口内设置凹槽，该凹槽的高度大于或等于电荷产生层与第一电极之间的高度差； S5.Undercut结构形成后，蒸镀有机发光层3，undercut结构隔断有机发光层3，最后再蒸镀形成阴极层8。

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