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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利存储器器件和ZQ校准方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117316233B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210716323.5，技术领域涉及：G11C11/4096；该发明授权存储器器件和ZQ校准方法是由田凯设计研发完成，并于2022-06-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本存储器器件和ZQ校准方法在说明书摘要公布了：本公开实施例涉及半导体电路设计领域，特别涉及一种存储器器件和ZQ校准方法，存储器器件包括：主芯片和多个从芯片，设置有第一传输端和第二传输端，且第一传输端相互连接，第二传输端相互连接；主芯片中设置有第一信号接收器和地址发送器，从芯片中设置有第二信号接收器；第一信号接收器用于接收ZQ校准命令，主芯片基于ZQ校准命令开始校准，主芯片完成校准后发送ZQ标志信号；地址发送器发送地址信号；第二信号接收器用于匹配地址信号，并接收ZQ标志信号，匹配地址信号的从芯片基于ZQ标志信号开始校准，当前从芯片完成校准后发送ZQ标志信号；地址发送器发送下一地址信号。本公开实施例通过设计一种新的控制电路，以实现多芯片共享ZQ校准电阻。

本发明授权存储器器件和ZQ校准方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器器件，其特征在于，包括： 主芯片和多个从芯片，所述主芯片和所述从芯片共同连接至同一校准电阻； 所述主芯片和所述从芯片设置有第一传输端和第二传输端，且所述主芯片和所述从芯片的所述第一传输端之间相互连接，所述第二传输端之间相互连接； 所述第一传输端用于传输ZQ标志信号，所述第二传输端用于传输地址信号； 所述主芯片中设置有第一信号接收器和地址发送器，所述从芯片中设置有第二信号接收器； 所述第一信号接收器用于通过ZQ信号端接收存储器提供的ZQ校准命令，所述主芯片基于所述ZQ校准命令开始校准，所述主芯片完成校准后通过所述第一传输端发送所述ZQ标志信号，所述ZQ标志信号表征当前芯片已利用所述校准电阻进行校准； 所述地址发送器通过所述第二传输端发送地址信号，所述地址信号表征待进行ZQ校准的所述从芯片的地址； 所述第二信号接收器用于匹配所述地址信号，并通过第一传输端接收所述ZQ标志信号，匹配所述地址信号的所述从芯片基于ZQ标志信号开始校准，当前所述从芯片完成校准后通过所述第一传输端发送所述ZQ标志信号； 所述地址发送器通过所述第二传输端继续发送下一地址信号，直至完成所有所述从芯片的校准。

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