株式会社大同电子;株式会社爱信谷口将太郎获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社大同电子;株式会社爱信申请的专利磁体单元及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115371530B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210547962.3，技术领域涉及：G01B7/00；该发明授权磁体单元及其制造方法是由谷口将太郎;臼井康英;浜田和树;都筑孝规;大桥佳史设计研发完成，并于2022-05-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本磁体单元及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种磁体单元，其包括：管状保持件，其具有中心轴线；磁体，其形成在所述管状保持件的一个端所在侧的内部区域，其中，所述磁体包括在角部分处的突出部分，在所述角部分处，所述磁体的在中心轴线方向上的端表面与所述磁体的外周表面相交，所述磁体的外周表面沿着所述管状保持件的内周表面设置，并且所述突出部分沿所述中心轴线方向突出。
本发明授权磁体单元及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种磁体单元，包括： 管状保持件，其具有中心轴线；以及 磁体，其形成在所述管状保持件的一个端所在侧的内部区域， 其中，所述磁体包括在角部分处的突出部分，在所述角部分处，所述磁体的在中心轴线方向上的端表面与所述磁体的外周表面相交，所述磁体的外周表面沿着所述管状保持件的内周表面设置，并且所述突出部分沿所述中心轴线方向突出， 其中所述突出部分在沿着所述中心轴线方向的截面图中包括沿所述中心轴线方向延伸并在与所述中心轴线方向垂直的方向上面向外侧的外表面，并且所述突出部分仅在所述外表面上与所述管状保持件接触，以及 其中所述突出部分还包括随着从所述端表面朝向所述突出部分的前端前进而与所述中心轴线分离的锥形内表面。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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