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龙图腾网获悉英诺赛科(苏州)科技有限公司申请的专利半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115332314B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211022268.6，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权半导体器件是由杜卫星;游政昇设计研发完成，并于2020-10-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件在说明书摘要公布了：半导体器件包括衬底、第一氮化镓型高电子迁移率晶体管、第二氮化镓型高电子迁移率晶体管、第一内连接器、第二内连接器。衬底包括第一型掺杂半导体区域以及第二型掺杂半导体区域。第一氮化镓型高电子迁移率晶体管覆盖第一型掺杂半导体区域和第二型掺杂半导体区域上的第一区域。第二氮化镓型高电子迁移率晶体管覆盖第一型掺杂半导体区域和第二型掺杂半导体区域上的第二区域。第一区域和第二区域为互相分隔开的。第一内连接器连接第一区域，且第一内连接器的宽度大于第一氮化镓型高电子迁移率晶体管的源极‑漏极间距。第二内连接器连接第二区域，且第二内连接器的宽度大于第二氮化镓型高电子迁移率晶体管的源极‑漏极间距。

本发明授权半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 衬底，包括多个第一型掺杂半导体区域以及多个第二型掺杂半导体区域，所述多个第一型掺杂半导体区域以及所述多个第二型掺杂半导体区域沿着第一方向延伸，且沿着第二方向交替排列，所述第一方向和所述第二方向不同；彼此相邻的所述第一型掺杂半导体区域和所述第二型掺杂半导体区域形成PN结； 第一氮化镓型高电子迁移率晶体管，配置在所述衬底的上方，并覆盖所述多个第一型掺杂半导体区域和所述多个第二型掺杂半导体区域上的第一区域； 第二氮化镓型高电子迁移率晶体管，配置在所述衬底的上方，并覆盖所述多个第一型掺杂半导体区域和所述多个第二型掺杂半导体区域上的第二区域，其中所述第一区域和所述第二区域为互相分隔开的； 第一内连接器，配置在所述衬底上方，并连接所述多个第一型掺杂半导体区域和所述多个第二型掺杂半导体区域上的所述第一区域，且所述第一内连接器的宽度大于所述第一氮化镓型高电子迁移率晶体管的源极-漏极间距；以及 第二内连接器，配置在所述衬底上方，并连接所述多个第一型掺杂半导体区域和所述多个第二型掺杂半导体区域上的所述第二区域，且所述第二内连接器的宽度大于所述第二氮化镓型高电子迁移率晶体管的源极-漏极间距； 所述第一内连接器和所述第二内连接器通过连接垫与不同电压的外部电源电气性连接。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人英诺赛科(苏州)科技有限公司，其通讯地址为：215211 江苏省苏州市吴江区黎里镇汾湖高新区芦莘大道1066号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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