苏州博思得电气有限公司何杰获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州博思得电气有限公司申请的专利一种全桥逆变电路及其驱动方法、高压发生器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115313896B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210951157.7，技术领域涉及：H02M7/5387；该发明授权一种全桥逆变电路及其驱动方法、高压发生器是由何杰;范声芳;王杰;刘忠奇设计研发完成，并于2022-08-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种全桥逆变电路及其驱动方法、高压发生器在说明书摘要公布了：本发明提供了一种全桥逆变电路及其驱动方法、高压发生器，该驱动方法包括：获取每一所述MOSFET管的第一相位偏差，所述第一相位偏差为所述MOSFET管的输出信号相对于驱动信号的相位偏差；根据所述第一相位偏差确定每一所述MOSFET管的相位补偿值；分别按照所述相位补偿值，确定每一所述MOSFET管的驱动信号的相位；分别根据每一所述MOSFET管的驱动信号的相位，生成对应的所述MOSFET管的驱动信号。每一MOSFET管在补偿后的MOSFET管的驱动信号的驱动下，保证了每一MOSFET管的均流性。
本发明授权一种全桥逆变电路及其驱动方法、高压发生器在权利要求书中公布了：1.一种全桥逆变电路的驱动方法，其特征在于，所述全桥逆变电路的每一桥臂包括并联的多个MOSFET管，所述驱动方法包括： 获取每一所述MOSFET管的第一相位偏差，所述第一相位偏差为所述MOSFET管的输出信号相对于驱动信号的相位偏差； 根据所述第一相位偏差确定每一所述MOSFET管的相位补偿值； 分别按照所述相位补偿值，确定每一所述MOSFET管的驱动信号的相位； 分别根据每一所述MOSFET管的驱动信号的相位，生成对应的所述MOSFET管的驱动信号；使用相位补偿后的所述驱动信号对所述多个MOSFET管进行驱动后，任意两个所述MOSFET管的第二相位偏差小于预设值，所述第二相位偏差为任意两个所述MOSFET管的输出信号之间的相位偏差。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人苏州博思得电气有限公司，其通讯地址为：215011 江苏省苏州市苏州高新区富春江路188号5号楼一、二、四层；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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