思睿逻辑国际半导体有限公司阿列克谢·S·亨金获国家专利权
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龙图腾网获悉思睿逻辑国际半导体有限公司申请的专利分层工艺构建的双绕组嵌入式螺线管电感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115298775B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180021245.0，技术领域涉及：H01F41/04；该发明授权分层工艺构建的双绕组嵌入式螺线管电感器是由阿列克谢·S·亨金;大卫·帕滕;颜军设计研发完成，并于2021-03-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本分层工艺构建的双绕组嵌入式螺线管电感器在说明书摘要公布了：一种用于构建螺线管电感器的方法包括将内绕组基本上定位在磁芯周围，将外绕组基本上定位在内绕组周围，以及使用分层工艺来执行内绕组和外绕组的所述定位。分层工艺包括将第一导电层加工为外绕组的底层，在其上加工第一介电层，在其上加工第二导电层作为内绕组的底层，在其上加工第二介电层，在其上加工磁芯层，在其上加工第三介电层，在其上加工第三导电层作为内绕组的顶层，在其上加工第四介电层，在其上加工第四导电层作为外绕组的顶层，在其上加工第五介电层，并且内绕组与外绕组是电连接的。
本发明授权分层工艺构建的双绕组嵌入式螺线管电感器在权利要求书中公布了：1.一种用于构建螺线管电感器的方法，包括： 将内绕组基本上定位在磁芯周围； 将外绕组基本上定位在所述内绕组周围；以及 使用分层工艺来执行所述内绕组和所述外绕组的所述定位， 其中，所述使用分层工艺包括： 加工作为所述外绕组的底层的第一导电层； 在所述第一导电层上方加工第一介电层； 在作为所述内绕组的底层的所述第一介电层上方加工第二导电层； 在所述第二导电层上方加工第二介电层； 在所述第二介电层上方加工磁芯层； 在所述磁芯层上方加工第三介电层； 在作为所述内绕组的顶层的所述第三介电层上方加工第三导电层； 在所述第三导电层上方加工第四介电层； 在作为所述外绕组的顶层的所述第四介电层上方加工第四导电层； 在所述第四导电层上方加工第五介电层；以及 其中，所述内绕组和所述外绕组是电连接的。
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