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龙图腾网获悉浜松光子学株式会社申请的专利测距图像传感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114846606B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080089255.3，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权测距图像传感器是由间瀬光人;平光纯;岛田明洋;石井博明;伊藤聪典;田中祐马设计研发完成，并于2020-12-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本测距图像传感器在说明书摘要公布了：在测距图像传感器中，各像素具有雪崩倍增区域、电荷分配区域、一对第一电荷传送区域、一对第二电荷传送区域、阱区域、光电栅电极、一对第一传送栅电极和一对第二传送栅电极。雪崩倍增区域的第一倍增区域形成为在Z方向上与电荷分配区域重叠且与阱区域不重叠。雪崩倍增区域的第二倍增区域形成为在Z方向上与电荷分配区域及阱区域重叠。

本发明授权测距图像传感器在权利要求书中公布了：1.一种测距图像传感器，其特征在于：包括： 半导体层，其具有第一侧的第一表面和作为所述第一侧的相反侧的第二侧的第二表面，用于构成沿所述第一表面配置的多个像素；和 设置于所述第一表面的、用于构成所述多个像素的电极层， 所述多个像素中的各个像素具有： 雪崩倍增区域，其包括形成于所述半导体层的第一导电型的第一倍增区域、和在所述半导体层中形成于所述第一倍增区域的接近所述第一侧的一侧的第二导电型的第二倍增区域； 在所述半导体层中形成于所述第二倍增区域的接近所述第一侧的一侧的、与所述第二倍增区域连接的第二导电型的电荷分配区域； 在所述半导体层中形成于所述第二倍增区域的接近所述第一侧的一侧的、与所述电荷分配区域连接的第二导电型的第一电荷传送区域； 在所述半导体层中形成于所述第二倍增区域的接近所述第一侧的一侧的、与所述电荷分配区域连接的第二导电型的第二电荷传送区域； 在所述半导体层中形成于所述第二倍增区域的接近所述第一侧的一侧的第一导电型的阱区域； 在所述电极层中形成于所述电荷分配区域的接近所述第一侧的一侧的光电栅电极； 以相比于所述光电栅电极位于所述第一电荷传送区域侧的方式，在所述电极层中形成于所述电荷分配区域的接近所述第一侧的一侧的第一传送栅电极；和 以相比于所述光电栅电极位于所述第二电荷传送区域侧的方式，在所述电极层中形成于所述电荷分配区域的接近所述第一侧的一侧的第二传送栅电极， 所述第一倍增区域形成为在所述半导体层的厚度方向上与所述电荷分配区域重叠且与所述阱区域不重叠， 所述第二倍增区域形成为在所述半导体层的厚度方向上与所述电荷分配区域及所述阱区域重叠。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人浜松光子学株式会社，其通讯地址为：日本静冈县；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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