中国科学院微电子研究所许晓欣获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利一种忆阻器及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114242889B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111518851.1，技术领域涉及：H10N70/20；该发明授权一种忆阻器及其制作方法是由许晓欣;赖锦茹;孙文绚;余杰;董大年;吕杭炳设计研发完成，并于2021-12-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种忆阻器及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种忆阻器及其制作方法，包括：衬底；位于所述衬底上且材质为TiN的下电极，其中，所述下电极的N组分和Ti组分的比例为0.96‑1.1，包括端点值；位于所述下电极背离所述衬底一侧的阻变层；位于所述阻变层背离所述衬底一侧的上电极。由上述内容可知，本发明提供的技术方案，通过调节忆阻器的下电极中Ti和N的组分比例为0.96‑1.1，进而优化下电极的电阻率和热电导率，使忆阻器在编程过程中形成自加热效应。进而，采用热电耦合效应，通过下电极的热场辅助来降低阻变层的缺陷形成能，提高了缺陷形成概率，降低编程过程中所需的电场强度，达到降低编程电压的目的，由此提高了忆阻器的可靠性。
本发明授权一种忆阻器及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种忆阻器，其特征在于，包括： 衬底； 位于所述衬底上且材质为TiN的下电极，其中，所述下电极的N组分和Ti组分的比例为0.96-1.1，包括端点值；在所述衬底上形成材质为TiN的下电极，包括：在所述衬底上形成所述下电极时，通入N气体和Ar气体，其中，N气体和Ar气体的流量范围为8sccm:50scccm-8sccm:35scccm，包括端点值； 位于所述下电极背离所述衬底一侧的阻变层； 位于所述阻变层背离所述衬底一侧的上电极； 所述下电极的电阻率为250-350uΩ·cm，包括端点值； 及，所述下电极的热导电率为55-70Wm·℃，使所述忆阻器在编程过程中形成自加热效应。
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