浜松光子学株式会社藤田和上获国家专利权
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龙图腾网获悉浜松光子学株式会社申请的专利量子级联激光器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113471815B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110332923.7，技术领域涉及：H01S5/20；该发明授权量子级联激光器是由藤田和上;日高正洋设计研发完成，并于2021-03-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本量子级联激光器在说明书摘要公布了：QCL具备半导体基板和设置于半导体基板上的活性层。活性层具有级联结构，该级联结构层叠多级包括使光产生的发光层和电子从发光层被输送的注入层的单位层叠体而成。发光层及注入层分别具有量子阱层及势垒层交替层叠的量子阱结构。在单位层叠体中的发光层和注入层之间设置有分离层，该分离层包括具有比发光层中所含的量子阱层的平均层厚小且比注入层中所含的量子阱层的平均层厚小的层厚的分离量子阱层。
本发明授权量子级联激光器在权利要求书中公布了：1.一种量子级联激光器，其具备： 基板； 活性层，其设置于所述基板上， 所述活性层具有级联结构，所述级联结构层叠多级包括使光产生的发光层和电子从所述发光层被输送的注入层的单位层叠体而成， 所述发光层及所述注入层分别具有量子阱层及势垒层交替层叠而成的量子阱结构， 在所述单位层叠体中的所述发光层和所述注入层之间设置有分离层，所述分离层包括具有比所述发光层中所含的所述量子阱层的平均层厚小且比所述注入层中所含的所述量子阱层的平均层厚小的层厚的作为所述量子阱层的分离量子阱层， 所述单位层叠体在根据所述量子阱结构的子带能级结构中具有发光上位能级、发光下位能级、以及所述分离量子阱层的基底能级引起的非线性能级， 将在作为所述单位层叠体的第一单位层叠体中能量最低的能级即低能级和配置于所述第一单位层叠体的后级的作为所述单位层叠体的第二单位层叠体中的所述发光上位能级之间的反交叉能隙设定为比所述低能级和所述第二单位层叠体中的所述非线性能级之间的反交叉能隙大。
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