台湾积体电路制造股份有限公司黄柏苍获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224205525U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202521140110.8，技术领域涉及：H10D84/85；该实用新型半导体装置是由黄柏苍;黄元昱;苏彬;苏俊荣设计研发完成，并于2025-06-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：一种半导体装置包括：一基板上方的一第一晶体管，包括一第一半导体通道层、包括一第一铁电层的一第一栅极结构及该第一半导体通道层的多个相对侧上的一第一源极区及一第一漏极区。一第二晶体管为在该基板上方且包括一第二半导体通道层、包含一第二铁电层的一第二栅极结构以及该第二半导体通道层的多个相对侧上的一第二源极区及一第二漏极区。在一剖面图中，第二半导体通道层短于第一半导体通道层。一输出端子与该第一晶体管的该第一漏极区与该第二晶体管的该第二漏极区电连接。第一铁电层的一材料，其与基板的一顶表面接触。
本实用新型半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，包含： 一基板上方的一第一晶体管，包含： 一第一半导体通道层； 一第一栅极结构，其围绕该第一半导体通道层且包含一第一铁电层；以及 该第一半导体通道层的多个相对侧上的一第一源极区及一第一漏极区； 该基板上方的一第二晶体管，包含： 一第二半导体通道层，其中在一剖面图中，该第二半导体通道层短于该第一半导体通道层； 一第二栅极结构，其围绕该第二半导体通道层且包含一第二铁电层；以及 该第二半导体通道层的多个相对侧上的一第二源极区及一第二漏极区； 一输出端子，其与该第一晶体管的该第一漏极区及该第二晶体管的该第二漏极区电连接；以及 该第一铁电层的一材料，其与该基板的一顶表面接触。
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