安徽长飞先进半导体股份有限公司唐宇坤获国家专利权
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龙图腾网获悉安徽长飞先进半导体股份有限公司申请的专利半导体器件、功率模块、功率转换电路及车辆获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224205523U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520967212.0，技术领域涉及：H10D30/60；该实用新型半导体器件、功率模块、功率转换电路及车辆是由唐宇坤;罗成志设计研发完成，并于2025-05-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件、功率模块、功率转换电路及车辆在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种半导体器件、功率模块、功率转换电路及车辆。该半导体器件包括：半导体本体，包括相对设置的第一表面和第二表面，第一表面还设置有源极沟槽，源极沟槽从第一表面延伸至半导体本体中；源极沟槽结构，位于源极沟槽的内部，包括位于源极沟槽内壁的第一绝缘层和位于第一绝缘层远离源极沟槽一侧的填充层；层间绝缘层，位于半导体本体的第一表面，层间绝缘层包括第一子层间绝缘层，第一子层间绝缘层覆盖源极沟槽结构，且与源极沟槽结构一一对应设置；欧姆接触层，位于层间绝缘层远离半导体本体的一侧，覆盖层间绝缘层以及部分第一表面。本实用新型实施例可避免源极沟槽结构发生过度刻蚀，有利于提高半导体器件的电学性能和可靠性。
本实用新型半导体器件、功率模块、功率转换电路及车辆在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 半导体本体，所述半导体本体包括相对设置的第一表面和第二表面，所述第一表面还设置有源极沟槽，所述源极沟槽从所述第一表面延伸至所述半导体本体中； 源极沟槽结构，位于所述源极沟槽的内部，所述源极沟槽结构包括位于所述源极沟槽内壁的第一绝缘层和位于所述第一绝缘层远离所述源极沟槽一侧的填充层； 层间绝缘层，位于所述半导体本体的第一表面，所述层间绝缘层包括第一子层间绝缘层，所述第一子层间绝缘层覆盖所述源极沟槽结构，且与所述源极沟槽结构一一对应设置； 欧姆接触层，位于所述层间绝缘层远离所述半导体本体的一侧，覆盖所述层间绝缘层以及部分所述第一表面。
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