上海深明奥思半导体科技有限公司朱志龙获国家专利权
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龙图腾网获悉上海深明奥思半导体科技有限公司申请的专利一种4T2FC铁电存储单元及存储器阵列获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224205519U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202521616136.5，技术领域涉及：H10B53/30；该实用新型一种4T2FC铁电存储单元及存储器阵列是由朱志龙设计研发完成，并于2025-07-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种4T2FC铁电存储单元及存储器阵列在说明书摘要公布了：本申请提供了一种4T2FC铁电存储单元及存储器阵列，其中，所述4T2FC铁电存储单元包括：硅衬底，所述硅衬底上设有彼此隔离的第一有源器件区和第二有源器件区；第一存储晶体管、第一控制晶体管，布设于所述第一有源器件区上，且所述第一存储晶体管漏极与第一控制晶体管源极电连接；第二存储晶体管、第二控制晶体管，布设于所述第二有源器件区上，且所述第二存储晶体管源极与第二控制晶体管漏极电连接；第一铁电电容器、第二铁电电容器，分别布设于所述第一存储晶体管和所述第二存储晶体管的栅极堆叠结构上方。本申请通过采用四个晶体管和两个铁电电容器实现铁电存储，在提高耐久性的同时，提升了数据保持力和写入稳定性。
本实用新型一种4T2FC铁电存储单元及存储器阵列在权利要求书中公布了：1.一种4T2FC铁电存储单元，其特征在于，包括： 硅衬底，所述硅衬底上设有彼此隔离的第一有源器件区和第二有源器件区； 第一存储晶体管、第一控制晶体管，布设于所述第一有源器件区上，且所述第一存储晶体管漏极与第一控制晶体管源极电连接； 第二存储晶体管、第二控制晶体管，布设于所述第二有源器件区上，且所述第二存储晶体管源极与第二控制晶体管漏极电连接； 第一铁电电容器、第二铁电电容器，分别布设于所述第一存储晶体管和所述第二存储晶体管的栅极堆叠结构上方。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海深明奥思半导体科技有限公司，其通讯地址为：201100 上海市闵行区兴梅路579弄1号403室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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