TDK株式会社山地勇一郞获国家专利权
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龙图腾网获悉TDK株式会社申请的专利磁传感器及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116075735B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180056999.X，技术领域涉及：G01R33/02；该发明授权磁传感器及其制造方法是由山地勇一郞;原川修;龟野诚设计研发完成，并于2021-08-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本磁传感器及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明的磁传感器以将产品间的偏差收敛于一定的范围内的方式，基于集磁体的表面性，控制产生于元件形成面和集磁体之间的间隙的大小。具备以元件形成面20a相对于基板2垂直的方式搭载的传感器芯片20和以表面31与基板2相对且表面32与元件形成面20a相对的方式搭载的集磁体30。集磁体30中，表面32的算术平均波度Wa为0.1μm以下。这样，如果与元件形成面20a相对的集磁体30的表面32的算术平均波度Wa被平坦化为0.1μm以下，则能够大幅降低元件形成面20a和集磁体30的间隙引起的检测灵敏度的降低，并且可以大幅抑制产品间的检测灵敏度的偏差。
本发明授权磁传感器及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种磁传感器，其特征在于， 具备： 基板； 传感器芯片，其具有形成有磁敏元件的元件形成面，并且以所述元件形成面相对于所述基板的表面垂直的方式搭载于所述基板的所述表面；以及 集磁体，其以第一表面与所述基板的所述表面相对，且第二表面与所述传感器芯片的所述元件形成面相对的方式，搭载于所述基板的所述表面， 所述集磁体具有位于所述第一表面的相反侧的第三表面， 所述传感器芯片和所述集磁体经由涂布于所述传感器芯片和所述集磁体的所述第三表面的粘接剂而相互固定， 所述第二表面的平坦性高于所述第一表面的平坦性， 所述第一表面的平坦性高于所述第三表面的平坦性， 所述第二表面的算术平均波度Wa为0.1μm以下。
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