华南理工大学韩昌骏获国家专利权
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龙图腾网获悉华南理工大学申请的专利一种面向激光选区熔化技术的薄壁曲面多孔零件设计方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116070370B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310060083.2，技术领域涉及：G06F30/17；该发明授权一种面向激光选区熔化技术的薄壁曲面多孔零件设计方法是由韩昌骏;汪云徽;董志;胡高令;王迪;宋长辉;杨永强设计研发完成，并于2023-01-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种面向激光选区熔化技术的薄壁曲面多孔零件设计方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种面向激光选区熔化技术的薄壁曲面多孔零件设计方法，具体步骤包括：S1、准备薄壁曲面模型；S2、构建填充单胞体；S3、对薄壁曲面模型进行曲度分析并优化填充方向：对步骤S1中的薄壁曲面结构进行薄壁截面的曲度分析，结合单胞体的短边填充向量nh优化并确定填充方向；S4、构建薄壁曲面多孔模型：构建以单胞体为多孔单元的空间点阵结构，修正晶胞点阵的几何线面关系，基于填充方案通过布尔交集运算对薄壁曲面模型进行多孔构建；S5、增材制造。本发明提供的一种面向增材制造的薄壁曲面多孔零件设计方法，能够解决激光选区熔化薄壁曲面多孔结构加工难的问题。
本发明授权一种面向激光选区熔化技术的薄壁曲面多孔零件设计方法在权利要求书中公布了：1.一种面向激光选区熔化技术的薄壁曲面多孔零件设计方法，其特征在于，包括如下步骤： S1、准备薄壁曲面模型：进行薄壁曲面模型建模或使用三维扫描获得实体模型； S2、构建填充单胞体：根据薄壁曲面结构的性能需求设计多孔填充单胞体，并结合制造工艺参数库，完成填充单胞体的参数模型构建，分析单胞体的边界矩形，确定单胞的短边填充向量nh； S3、对薄壁曲面模型进行曲度分析并优化填充方向：对步骤S1中的薄壁曲面结构进行薄壁截面的曲度分析，结合单胞体的短边填充向量nh优化并确定填充方向； S4、构建薄壁曲面多孔模型：构建以单胞体为多孔单元的空间点阵结构，修正晶胞点阵的几何线面关系，基于填充方案通过布尔交集运算对薄壁曲面模型进行多孔构建； S5、增材制造：使用激光选区熔化技术，导入薄壁曲面多孔模型后基于小Z轴高度的原则摆放，以薄壁曲面多孔模型的支撑类型为锥形，设置加工激光功率、光斑直径、切片厚度、锥形支撑参数，完成增材制造。
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