华邦电子股份有限公司田中义典获国家专利权
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龙图腾网获悉华邦电子股份有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116056447B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111262167.1，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其形成方法是由田中义典;张维哲设计研发完成，并于2021-10-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体结构及其形成方法，该半导体结构包括基板、沟槽、第一导电层、第二导电层、第三导电层、源极区域与漏极区域、位线接触物及储存节点接触物。沟槽设置于基板中。第一导电层设置于沟槽中。第二导电层设置于第一导电层的顶表面上。第三导电层设置于第一导电层的顶表面上，且与第二导电层电连接。源极区域与漏极区域设置于基板中，且设置于第一导电层的相对侧。位线接触物设置于源极区域与漏极区域中的一个上，且储存节点接触物设置于源极区域与漏极区域中的另一个上。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 一基板； 一沟槽，设置于该基板中； 一第一导电层，设置于该沟槽中； 一第二导电层，设置于该第一导电层的一顶表面上； 一第三导电层，设置于该第一导电层的该顶表面上，且与该第二导电层电连接； 一源极区域与一漏极区域，设置于该基板中，且设置于该第一导电层的相对侧； 一位线接触物，设置于该源极区域与该漏极区域中的一个上；以及 一储存节点接触物，设置于该源极区域与该漏极区域中的另一个上； 其中，该第一导电层的功函数及该第三导电层的功函数大于该第二导电层的功函数，该第二导电层及该第三导电层中具有较高功函数的一个相对于另一个更接近该位线接触物，且 该第三导电层的一顶表面高于该第二导电层的一顶表面或者与该第二导电层的该顶表面共平面。
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