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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利SRAM器件及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116056444B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111226881.5，技术领域涉及：H10B10/00；该发明授权SRAM器件及其形成方法是由王楠设计研发完成，并于2021-10-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本SRAM器件及其形成方法在说明书摘要公布了：一种SRAM器件及其形成方法，形成方法包括：提供基底，包括第一类器件区和第二类器件区，第一类SRAM器件具有最大沟道宽度，第一类器件区和第二类器件区均包括传输门晶体管区、下拉晶体管区和上拉晶体管区，基底上形成有叠层结构，包括第一牺牲层和沟道层，第二类器件区中各个叠层结构的宽度等于第一类器件区中所对应晶体管区的预设宽度；进行沟道宽度调整处理，在第二类器件区中，在传输门晶体管区、下拉晶体管区和上拉晶体管区中的任意一种或两种晶体管区中，去除部分宽度的沟道层；去除部分宽度的沟道层后，去除第一牺牲层；去除第一牺牲层后，形成横跨沟道层的栅极结构。本发明采用同一张设计版图形成叠层结构，节约了设计成本。

本发明授权SRAM器件及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种SRAM器件，其特征在于，包括： 基底，包括衬底、以及凸立于所述衬底且沿第一方向延伸的多个底部鳍部，所述基底包括用于形成第一类SRAM器件的第一类器件区、以及用于形成第二类SRAM器件的第二类器件区，所述第一类SRAM器件具有最大沟道宽度，所述第一类器件区和第二类器件区均包括多个存储单元区，所述存储单元区包括相邻接且中心对称的第一子单元区和第二子单元区，所述第一子单元区和第二子单元区均包括传输门晶体管区、下拉晶体管区和上拉晶体管区，所述第一类器件区和第二类器件区中的同一晶体管区的底部鳍部宽度相等； 沟道层结构，悬置于所述底部鳍部上方，所述沟道层结构沿纵向包括一个或多个间隔设置的沟道层，所述沟道层结构沿所述第一方向延伸，在所述第一类器件区中，所述沟道层沿第二方向的侧壁与相应晶体管区的底部鳍部的侧壁在纵向上相齐平，在第二类器件区中，在所述传输门晶体管区、下拉晶体管区和上拉晶体管区中的任意一种或两种晶体管区中，沿所述第二方向，所述沟道层的侧壁相对于相应晶体管区的底部鳍部侧壁向内凹进，所述第二方向垂直于所述第一方向； 栅极结构，位于所述基底上且沿所述第二方向横跨多个所述沟道层结构，所述栅极结构包括环绕覆盖所述沟道层的栅介质层、以及环绕覆盖所述栅介质层的栅电极层。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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