中国科学院微电子研究所李永亮获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利一种半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116053279B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211738799.5，技术领域涉及：H10D84/85；该发明授权一种半导体器件及其制造方法是由李永亮;贾晓锋;赵飞设计研发完成，并于2022-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体技术领域，用于简化CFET器件中位于下方的环栅晶体管包括的源区和漏区的制造过程，进而降低CFET器件的集成难度。所述半导体器件包括：第一半导体基底、无结型环栅晶体管和增强型结型环栅晶体管。上述无结型环栅晶体管形成在第一半导体基底上。增强型结型环栅晶体管形成在无结型环栅晶体管的上方、且与无结型环栅晶体管间隔设置。增强型结型环栅晶体管与无结型环栅晶体管的导电类型相反。所述半导体器件的制造方法用于制造所述半导体器件。
本发明授权一种半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括：第一半导体基底， 无结型环栅晶体管，形成在所述第一半导体基底上； 增强型结型环栅晶体管，形成在所述无结型环栅晶体管的上方、且与所述无结型环栅晶体管间隔设置；所述增强型结型环栅晶体管与所述无结型环栅晶体管的导电类型相反； 所述增强型结型环栅晶体管包括的沟道区包括第一材料部、以及环绕在所述第一材料部外周的第二材料部；所述第二材料部的材料不同于所述第一材料部的材料；所述第一材料部的材料与所述无结型环栅晶体管包括的沟道区的材料相同。
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