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龙图腾网获悉中山大学申请的专利一种压摆率增强的宽带低功耗跨导运算放大器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116015217B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310031887.X，技术领域涉及：H03F1/02；该发明授权一种压摆率增强的宽带低功耗跨导运算放大器是由粟涛;胡炳翔;王自鑫;牟炳叡;梁言;朱文丽设计研发完成，并于2023-01-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种压摆率增强的宽带低功耗跨导运算放大器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种压摆率增强的宽带低功耗跨导运算放大器，包括改进型循环折叠跨导运算放大器和压摆率增强电路，压摆率增强电路在放大器的大信号运作期间可显著提高正负压摆率，而在放大器的小信号运作期间在放大器的小信号运作期间其晶体管工作在亚阈值区，几乎不消耗电流，因此可以在保持低功耗的情况下，提高放大器的单位增益带宽和压摆率，从而提高了运算放大器的工作速度和输出电流能力。本发明实施例提高了高性能开关电容电路的工作速度，降低了功耗，易于推广使用，可广泛应用于运算放大器技术领域。

本发明授权一种压摆率增强的宽带低功耗跨导运算放大器在权利要求书中公布了：1.一种压摆率增强的宽带低功耗跨导运算放大器，其特征在于，包括改进型循环折叠跨导运算放大器和压摆率增强电路，所述改进型循环折叠跨导运算放大器包括第三PMOS管、第八PMOS管、第一NMOS管、第四PMOS管、第九PMOS管、第十PMOS管、第十一PMOS管、第十二PMOS管、第五PMOS管、第十三PMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、第十NMOS管、第十一NMOS管、第十二NMOS管、第十三NMOS管、第十四NMOS管以及第十五NMOS管，所述压摆率增强电路包括第一PMOS管、第二PMOS管、第七NMOS管、第八NMOS管、第九NMOS管、第六PMOS管、第七PMOS管、第十六NMOS管、第十七NMOS管以及第十八NMOS管，其中： 所述第一PMOS管、所述第二PMOS管、所述第三PMOS管、所述第四PMOS管、所述第五PMOS管、所述第六PMOS管以及所述第七PMOS管的源极均连接到模拟正电源，所述第一PMOS管和所述第二PMOS管的栅极均与所述第七NMOS管的漏极相连，所述第二PMOS管的漏极与差分输出负端、所述第十七NMOS管的漏极、所述第八PMOS管的漏极以及所述第一NMOS管的漏极相连，所述第三PMOS管的栅极连接共模反馈电压，所述第三PMOS管的漏极与所述第八PMOS管的源极相连，所述第八PMOS管的栅极连接P型第一偏置电压，所述第四PMOS管的漏极与所述第九PMOS管、所述第十PMOS管、所述第十一PMOS管以及所述第十二PMOS管的源极相连，所述第四PMOS管的栅极连接P型第二偏置电压，所述第五PMOS管的栅极连接所述共模反馈电压，所述第五PMOS管的漏极连接到所述第十三PMOS管的源极，所述第六PMOS管和所述第七PMOS管的栅极均与所述第十八NMOS管的漏极相连，所述第六PMOS管的漏极与差分输出正端、所述第八NMOS管的漏极、所述第十三PMOS管的漏极以及所述第二NMOS管的漏极相连，所述第一NMOS管的源极与所述第九NMOS管的漏极、所述第十NMOS管的漏极、所述第九PMOS管的漏极、所述第七NMOS管的栅极、所述第八NMOS管的栅极以及所述第九NMOS管的栅极相连，所述第一NMOS管的栅极连接第一N型偏置电压，所述第九PMOS管的栅极和所述第十PMOS管的栅极均与差分输入正端相连，所述第十PMOS管的漏极与所述第五NMOS管的漏极、所述第六NMOS管的漏极、所述第十四NMOS管的栅极以及所述第十五NMOS管的栅极相连，所述第十一PMOS管的漏极与所述第三NMOS管的漏极、所述第四NMOS管的漏极、所述第十NMOS管的栅极以及所述第十一NMOS管的栅极相连，所述第十一PMOS管的栅极和所述第十二PMOS管的栅极相连均与差分输入负端相连，所述第十三PMOS管的栅极连接所述P型第一偏置电压，所述第二NMOS管的源极与所述第十五NMOS管的漏极、所述第十六NMOS管的漏极、所述第十二PMOS管的漏极、所述第十六NMOS管的栅极、所述第十七NMOS管的栅极以及所述第十八NMOS管的栅极相连，所述第二NMOS管的栅极连接所述第一N型偏置电压，所述第三NMOS管的源极与所述第十一NMOS管的漏极相连，所述第四NMOS管的源极与所述第十二NMOS管的漏极相连，所述第五NMOS管的源极与所述第十三NMOS管的漏极相连，所述第六NMOS管的源极与所述第十四NMOS管的漏极相连，所述第三NMOS管、所述第四NMOS管、所述第五NMOS管以及所述第六NMOS管的栅极均连接所述第一N型偏置电压，所述第十二NMOS管和所述第十三NMOS管的栅极均连接第二N型偏置电压，所述第七NMOS管、所述第八NMOS管、所述第九NMOS管、所述第十NMOS管、所述第十一NMOS管、所述第十二NMOS管、所述第十三NMOS管、所述第十四NMOS管、所述第十五NMOS管、所述第十六NMOS管、所述第十七NMOS管以及所述第十八NMOS管的源极均与模拟地相连。

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