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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利一种半导体性能测试方法和系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115985793B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111205999.X，技术领域涉及：H10P74/20；该发明授权一种半导体性能测试方法和系统是由王嘉玮;赵莹;白子恒;李泠;卢年端设计研发完成，并于2021-10-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体性能测试方法和系统在说明书摘要公布了：本发明涉及一种半导体性能测试方法和系统，属于半导体技术领域，解决了无序的介质层中的缺陷和界面处缺陷会影响半导体活性层中载流子的输运性能的问题。该方法包括：制备场效应晶体管，场效应晶体管包括位于待测试的半导体层和栅极之间的空气绝缘层；随着栅极电压在测试电压范围内连续变化，测量与栅极电压相对应的漏极电流，并根据在测试电压范围内的栅极电压值和对应的漏极电流值绘制转移特性曲线，场效应晶体管的漏极连接正电源电压，源极接地以及栅极连接在测试电压范围内变化的栅极电压；以及根据转移特性曲线获取待测试的半导体层的本征输运性能。通过空气真空绝缘层排除绝缘层缺陷影响，反应真实半导体本征输运性能的器件结构。

本发明授权一种半导体性能测试方法和系统在权利要求书中公布了：1.一种半导体性能测试方法，其特征在于，包括： 制备场效应晶体管，其中，所述场效应晶体管包括位于待测试的半导体层和栅极之间的空气绝缘层，在衬底上方形成所述待测试的半导体层、源极和漏极，在所述源极和所述漏极之外的所述衬底上方形成侧墙层； 随着栅极电压在测试电压范围内连续变化，测量与所述栅极电压相对应的漏极电流，并根据在所述测试电压范围内的栅极电压值和对应的漏极电流值绘制转移特性曲线，其中，所述场效应晶体管的漏极连接正电源电压，源极接地以及栅极连接在所述测试电压范围内变化的栅极电压；以及 根据所述转移特性曲线获取所述待测试的半导体层的本征输运性能，所述源极包括源极本体、源极延伸部和源极触点，所述漏极包括漏极本体、漏极延伸部和漏极触点，以及所述侧墙层包括第一侧墙层、第二侧墙层和第三侧墙层，其中，所述源极本体位于所述待测试的半导体层上方，所述源极延伸部从所述源极本体的中部与所述源极本体垂直地向外延伸并位于所述衬底上方以及所述源极触点位于所述源极延伸部的远离所述源极本体的端部处；以及其中，所述漏极本体位于所述待测试的半导体层上方，所述漏极延伸部从所述漏极本体的中部与所述漏极本体垂直地向外延伸并且位于所述衬底上方以及所述漏极触点位于所述漏极延伸部的远离所述漏极本体的端部处； 其中，所述第一侧墙层，具有圆环形截面，并以360°包围所述待测试的半导体层；所述第二侧墙层，包括多个矩形截面并且位于所述第一侧墙层的一侧，其中，所述源极延伸部夹置于所述多个矩形截面中的任两个矩形截面之间；以及所述第三侧墙层，包括多个矩形截面并且位于所述第一侧墙层的另一侧，其中，所述漏极延伸部夹置于所述多个矩形截面中的任两个矩形截面之间；通过所述第一侧墙层、所述第二侧墙层和所述第三侧墙层支撑所述栅极，以生成介于所述待测试的半导体层和所述栅极之间的均匀高度且稳定的空气绝缘层。

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