买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉上海百功微电子有限公司申请的专利一种全玻璃钝化二极管及其生产方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115985788B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310043140.6，技术领域涉及：H10W74/01；该发明授权一种全玻璃钝化二极管及其生产方法是由陈敬沧设计研发完成，并于2023-01-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种全玻璃钝化二极管及其生产方法在说明书摘要公布了：本发明提供了全玻璃钝化二极管生产方法，包括以下步骤：一准备工作a芯片准备；b原料准备；c软件准备：进行激光参数及原料参数的预置，通过计算机建模软件，使用电脑辅助设计技术CAD，依照不同二极管设计需求完成激光烧结的预设信息，并将预设信息传送到半导体激光器上；二均匀铺粉；三激光烧结；四回收处理；五消除排胶。本发明所述的全玻璃钝化二极管生产方法，采用激光成型技术制备二极管PN结的玻璃护封，精准控制二极管玻璃烧结，单次完成二极管PN结的全面护封，而且没有潜在故障源。本发明还提供了采用所述的全玻璃钝化二极管生产方法生产的全玻璃钝化二极管。

本发明授权一种全玻璃钝化二极管及其生产方法在权利要求书中公布了：1.一种全玻璃钝化二极管生产方法，其特征在：包括以下步骤： 一准备工作： a芯片准备：依照需求，将二极管1经过处理后，形成P面带有沟槽，PN结面露出，单个芯片处于半切形态的二极管芯片半成品； b原料准备：依照需求，按比例将钝化玻璃粉和固化剂混合均匀，获得二极管封装材料的混合粉末，然后将所述混合粉末注入半导体激光器3配套的粉末喷头2； c软件准备：进行激光参数及原料参数的预置，通过计算机建模软件，使用电脑辅助设计技术CAD，依照不同二极管1设计需求完成激光烧结的预设信息，并将预设信息传送到半导体激光器3上；所述预设信息包括：钝化玻璃粉的铺设位置为二极管芯片露出位置，激光烧结的CAD路径是二极管PN结位置； 二均匀铺粉：计算机建模软件按照预设信息，控制所述粉末喷头2，控制粉末涂层的沉积量和沉积位置，在二极管PN结四周均匀地喷洒封装材料，实现二极管PN结的封装材料全覆盖； 三激光烧结：半导体激光器3依据预设信息中设置的二维CAD路径，控制激光束4对二极管PN结位置铺设的封装材料粉层进行激光选择性扫描，被扫描到的封装材料粉末由于激光焦点的高温在PN结位置烧结在一起，从而在二极管PN结位置生成具有玻璃封装薄层，未扫描到区域的封装材料保持原来的松散粉末状； 再次烧结：第一次激光烧结完成后，半导体激光器3根据预设烧结次数的完成情况，若完成预设烧结次数，则进入下一步骤，若未完成，控制粉末喷头2，再次在二极管PN结四周均匀地喷洒封装材料粉末，然后再开始新一层的激光烧结；如此反复，直至按照预设信息，烧结完所有层面，从而在PN结周围生成具有预定厚度的护封钝化玻璃5薄片，全面覆盖二极管PN结，完成护封成型工序； 四回收处理：从二极管1上移除并回收未被烧结的封装材料粉末，获得护封成型的二极管芯片； 五消除排胶：将完成护封成型工序的二极管1进行加热排胶处理，完成二极管PN结的玻璃护封，获得符合要求的全玻璃钝化二极管元器件； 步骤a中所述芯片准备具体为：依照需求，将半导体原芯片按二极管1设计尺寸裁切为适当的尺寸，并利用酸蚀方式将切割面的微裂、粗糙、差排等不良现象去除，使PN结呈现平滑状态，制备完成PN型扩散的硅半导体圆片，并对硅半导体圆片作氧化处理，再以光刻胶涂布圆片，以显影及清洗除去各芯片边缘部分的光刻胶，并对未涂敷有光刻胶的区域进行选择性局部化学刻蚀，形成P面带有沟槽，PN结面露出，单个芯片处于半切形态的二极管芯片半成品； 步骤b中所述固化剂为高抗冲聚苯乙烯胶水，所述钝化玻璃粉与固化剂的质量比分别为98wt％和2wt％； 步骤三中所述粉末喷头2的喷嘴直径为2μm、单次喷洒的层厚为10μm、粉末喷洒的定位精度为2μm； 步骤c玻璃粉铺粉厚度为20μm； 步骤三中激光功率为3000W、X和Y轴分辨率为2μm、Z轴分辨率为10μm。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海百功微电子有限公司，其通讯地址为：201103 上海市闵行区虹许路528号尼克互盛大楼903；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。