上海集成电路研发中心有限公司师沛获国家专利权
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龙图腾网获悉上海集成电路研发中心有限公司申请的专利一种像素单元及形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115966581B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211656028.1，技术领域涉及：H10F39/12；该发明授权一种像素单元及形成方法是由师沛设计研发完成，并于2022-12-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种像素单元及形成方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种像素单元及形成方法，像素单元包括设于第一导电类型的衬底中的第二导电类型的感光部；设于感光部两侧的衬底中的第一导电类型的隔离部；设于感光部正面上的衬底中的第二导电类型的第一区；设于感光部和隔离部正面上的衬底中的第一导电类型的第二区，且第二区围绕在第一区的侧面外部；设于第一区正面上的接触部；围绕在接触部侧面外部，并设于衬底正面表面上的栅极，栅极的内外两侧分别与第一区和第二区之间形成上下位置上的部分重叠。本发明通过在栅极上施加不同大小的偏压，可对器件的响应速度和饱和探测电流进行调整，实现可以兼顾高速和大电子流的成像和探测功能，扩大了应用范围。
本发明授权一种像素单元及形成方法在权利要求书中公布了：1.一种像素单元，其特征在于，包括： 第一导电类型的衬底； 设于所述衬底中的第二导电类型的感光部； 设于所述感光部两侧的所述衬底中的第一导电类型的隔离部； 设于所述感光部正面上的所述衬底中的第二导电类型的第一区； 设于所述感光部和所述隔离部正面上的所述衬底中的第一导电类型的第二区，且所述第二区围绕在所述第一区的侧面外部；所述第二区、所述感光部和所述第一区之间在所述衬底的正面表面上形成部分钉扎光电二极管； 设于所述第一区正面上的接触部； 围绕在所述接触部侧面外部，并设于所述衬底正面表面上的栅极，所述栅极的内外两侧分别与所述第一区和所述第二区之间形成上下位置上的部分重叠。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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