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龙图腾网获悉中晟鲲鹏光电半导体有限公司;浙江同芯祺科技有限公司申请的专利一种碳化硅晶圆的正面加工方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115910896B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210971865.7，技术领域涉及：H10P72/70；该发明授权一种碳化硅晶圆的正面加工方法是由严立巍;刘文杰;马晴;林春慧设计研发完成，并于2022-08-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种碳化硅晶圆的正面加工方法在说明书摘要公布了：本发明涉及碳化硅晶圆加工技术领域，具体的是一种碳化硅晶圆的正面加工方法，本发明包括以下步骤：S11、取一个带有气孔的耐高温载板，将一个完成前段制程的碳化硅晶圆背面贴附到耐高温载板上，再从耐高温载板底部采用抽气设备进行抽气，将碳化硅晶圆吸附到耐高温载板上；S12、对步骤S11中得到的碳化硅晶圆，首先在碳化硅晶圆正面进行碳沉积，使得碳沉积层碳化硅晶圆外侧为碳化硅晶圆提供保护，方便对碳化硅晶圆的正面进行加工，不但无需直接对碳化硅晶圆进行蚀刻，而且通过带有气孔的耐高温载板对碳化硅晶圆进行吸附承载，无需对碳化硅晶圆和耐高温载板进行永久键合，使得对碳化硅晶圆正面的加工工艺的难度更低。

本发明授权一种碳化硅晶圆的正面加工方法在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅晶圆的正面加工方法，其特征在于，包括以下步骤： S11、取一个带有气孔的耐高温载板，将一个完成前段制程的碳化硅晶圆背面贴附到耐高温载板上，再从耐高温载板底部采用抽气设备进行抽气，将碳化硅晶圆吸附到耐高温载板上； S12、对步骤S11中得到的碳化硅晶圆，首先在碳化硅晶圆正面进行碳沉积，在碳化硅晶圆正面形成碳沉积层，停止抽气设备的抽气，移除抽气设备，然后再在碳沉积层表面位于碳化硅晶圆边缘和外部的部分涂布光阻，最后再从碳沉积层表面进行蚀刻，露出碳化硅晶圆的正面； S13、对步骤S12中的碳化硅晶圆进行正面工艺； S14、对步骤S13中得到的碳化硅晶圆，取一个玻璃载板，在玻璃载板上涂布透明的释放剂，在碳化硅晶圆正面涂布透明的粘着剂，将玻璃载板键合碳化硅晶圆的正面上，然后翻转碳化硅晶圆，然后采用隐形激光切割对耐高温载板和碳沉积层之间进行打断，然后移除耐高温载板，最后进行后续的碳化硅晶圆背面制程。

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