青岛物元技术有限公司黄永发获国家专利权
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龙图腾网获悉青岛物元技术有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法、以及电子元器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115799051B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211554659.2，技术领域涉及：H10P76/40；该发明授权半导体结构及其形成方法、以及电子元器件是由黄永发;邱杰振;颜天才设计研发完成，并于2022-12-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法、以及电子元器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体结构及其形成方法、以及电子元器件，上述的半导体结构的形成方法包括：提供一半导体衬底，在半导体衬底的表面上形成一包括SOG材料层、SiON材料层与SOC材料层的掩膜层；在掩膜层的表面上形成光刻胶层。本发明在光刻胶与硅片中间增加了包括SOG材料层、SiON材料层与SOC材料层的掩膜层，后续通过一层光刻胶作为掩膜对掩膜层进行刻蚀，将光刻胶上的目标图形转移至掩膜层，再利用掩膜层的耐刻蚀性对硅片进行刻蚀，上述过程中保持了目标图形的高分辨率，如此便在无需增加光刻胶的膜厚的同时提高了抗蚀刻性质。
本发明授权半导体结构及其形成方法、以及电子元器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： S1：提供一半导体衬底； S2：在所述半导体衬底的表面上形成一包括SOG材料层、SiON材料层与SOC材料层的掩膜层；在所述半导体衬底的表面上形成一SOG材料层；在所述SOG材料层的表面上形成一SiON材料层；在所述SiON材料层的表面上形成一SOC材料层； S3：在所述掩膜层的表面上形成光刻胶层，所述光刻胶层的厚度为1.2μm至5μm； S4：通过光刻工艺在所述光刻胶层上形成目标图形； S5：以所述光刻胶层为掩膜，刻蚀所述掩膜层，以将所述目标图形转移至所述掩膜层； S6：去除所述光刻胶层； S7：以所述掩膜层为掩膜，刻蚀所述半导体衬底，在所述半导体衬底上刻蚀出所述目标图形； S8：在所述半导体衬底上刻蚀出所述目标图形后，去除所述掩膜层。
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