买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉华虹半导体(无锡)有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115763540B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211465428.4，技术领域涉及：H10D62/60；该发明授权半导体结构及其形成方法是由许昭昭;钱文生设计研发完成，并于2022-11-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：在第一引出区内形成第一辅栅极结构；在有源区内，且在各主栅极结构周围的体区上形成源掺杂区；在形成源掺杂区之后，在第一辅栅极结构内形成第一凹槽，第一凹槽沿第二方向延伸，在相邻的主栅极结构之间的源掺杂区和体区内形成第二凹槽，第二凹槽沿第一方向延伸；向第一凹槽和第二凹槽下的外延层内注入第一掺杂离子，以在相邻的主栅极结构之间的体区底部以及第一辅栅结构底部形成第一注入区；在形成第一注入区之后，在第一凹槽内形成第一导电插塞和位于第一导电插塞上的第一导电层，在第二凹槽内形成第二导电插塞和位于第二导电插塞上的第二导电层，提高器件性能的同时，有利于节约制造成本。

本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 基底和位于所述基底上的外延层，所述外延层包括有源区和围绕所述有源区的外围区，所述外围区包括两个第一引出区，所述两个第一引出区分别位于所述有源区两侧，且所述第一引出区和所述有源区沿第一方向排布； 位于所述外延层内的体区； 位于所述有源区内的若干主栅极结构，所述若干主栅极结构在垂直于所述基底表面方向上贯穿所述体区，所述若干主栅极结构平行于所述第一方向的，且沿第二方向排布，所述第一方向和所述第二方向相互垂直； 位于所述第一引出区内的第一辅栅极结构，所述第一辅栅极结构在垂直于所述基底表面方向上贯穿所述体区，所述第一辅栅极结构平行于所述第二方向，且与所述主栅极结构电互连； 位于所述第一辅栅极结构内的第一导电插塞，所述第一导电插塞沿所述第二方向延伸； 位于所述有源区内所述体区上的源掺杂区，所述源掺杂区位于所述主栅极结构周围； 位于相邻的所述主栅极结构之间的第二导电插塞，且所述第二导电插塞位于所述源掺杂区和所述体区内，所述第二导电插塞沿所述第一方向延伸；位于所述外延层上的第一导电层，所述第一导电层包括平行于所述第二方向的第一引出部，所述第一引出部和所述第一辅栅极结构通过所述第一导电插塞电连接； 位于所述外延层上的第二导电层，所述第二导电层与所述源掺杂区、所述体区通过所述若干第二导电插塞电连接； 位于外延层内的第一注入区，所述第一注入区位于相邻的主栅极结构之间的所述体区底部以及所述第一辅栅结构底部。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人华虹半导体(无锡)有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司，其通讯地址为：214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。