泉州市三安集成电路有限公司魏鑫获国家专利权
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龙图腾网获悉泉州市三安集成电路有限公司申请的专利一种滤波器的晶圆级封装方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115694389B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211344545.5，技术领域涉及：H03H3/02；该发明授权一种滤波器的晶圆级封装方法是由魏鑫;李晓军;李培坤设计研发完成，并于2022-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种滤波器的晶圆级封装方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种滤波器的晶圆级封装方法，采用一片正性光致抗蚀干膜通过二次曝光一次显影工艺形成通孔和凹槽，然后与晶圆贴合使凹槽与芯片功能区一一对应围合形成空腔，然后沉积金属于通孔与芯片的布线连接以用于线路引出，再通过切割形成单个滤波器封装结构。本发明采用单层正性光致抗蚀干膜进行封装，空腔于单层干膜中形成，没用壁部层和顶部层的分层问题，提高了器件的可靠性。同时简化了工艺，缩短制程周期时间，且无需采用多层材料，节约了成本。
本发明授权一种滤波器的晶圆级封装方法在权利要求书中公布了：1.一种滤波器的晶圆级封装方法，其特征在于，包括以下步骤： 1提供一厚度20um的正性光致抗蚀干膜，通过第一光罩对正性光致抗蚀干膜进行第一次曝光，曝光剂量250mj，曝光深度为所述正性光致抗蚀干膜的厚度；通过第二光罩对正性光致抗蚀干膜进行第二次曝光，曝光剂量100mj，曝光深度不超过所述正性光致抗蚀干膜厚度的一半； 2进行显影，其中第一次曝光的区域显影后形成通孔，第二次曝光的区域显影后形成凹槽； 3将正性光致抗蚀干膜贴合在晶圆表面，所述晶圆形成有若干滤波器芯片，所述滤波器芯片具有功能区和布线，其中所述凹槽与功能区围合形成空腔，部分布线对应通孔并露出； 4于80～250℃下烘烤0.5～1.5h； 5沉积金属于所述通孔之内与所述布线连接； 6对封装后晶圆进行切割，形成单个滤波器封装结构。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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