中国科学院上海微系统与信息技术研究所武爱民获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院上海微系统与信息技术研究所申请的专利一种低损耗硅光芯片的端面耦合结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115693389B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211245081.2，技术领域涉及：H01S5/026；该发明授权一种低损耗硅光芯片的端面耦合结构是由武爱民;吕东升;冯大增;李昂设计研发完成，并于2022-10-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种低损耗硅光芯片的端面耦合结构在说明书摘要公布了：本发明涉及一种低损耗硅光芯片的端面耦合结构，包括硅衬底，所述硅衬底上设有激光器安装区，所述激光器安装区的一侧且在硅衬底上设置有埋氧层，所述埋氧层上设置有浅刻蚀区，所述埋氧层和浅刻蚀区形成的截面刻蚀有斜切端面，所述斜切端面用于减小反射损耗，所述浅刻蚀区上设置有面对激光器安装区的脊波导，所述脊波导的入射端位于斜切端面处。本发明可以实现较高的耦合效率与对准容差。
本发明授权一种低损耗硅光芯片的端面耦合结构在权利要求书中公布了：1.一种低损耗硅光芯片的端面耦合结构，其特征在于，包括硅衬底1，所述硅衬底1上设有激光器安装区，所述激光器安装区的一侧且在硅衬底1上设置有埋氧层2，所述埋氧层2上设置有浅刻蚀区3，所述埋氧层2和浅刻蚀区3形成的截面刻蚀有斜切端面5，所述斜切端面5用于减小反射损耗，所述浅刻蚀区3上设置有面对激光器安装区的脊波导4，所述脊波导4的入射端位于斜切端面5处；所述斜切端面5设置有聚焦曲面6，所述聚焦曲面6位于脊波导4输入端的正下方，所述聚焦曲面6用于补偿脊波导4入射端面光斑的相位与尺寸；所述聚焦曲面6的形状根据DFB激光器和斜切端面5的位置关系计算得出： 所述聚焦曲面6满足方程n1sinθ1＝n2sinθ2； 并且所述聚焦曲面6还满足方程n1L1＝n2L2； 其中，n1为DFB激光器和硅光芯片的端面耦合结构之间的折射率，θ1为DFB激光器和硅光芯片的端面耦合结构之间的光线和法线夹角，法线垂直于斜切端面；n2为脊波导的折射率，θ2为脊波导中的光线和法线夹角，L1为DFB激光器和硅光芯片的端面耦合结构之间的传播距离，L2为脊波导中的传播距离。
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