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龙图腾网获悉南京航空航天大学;中电科技德清华莹电子有限公司申请的专利采用一个掩膜版的声表面波标签结构及其编码识别方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115688848B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211376163.0，技术领域涉及：G06K19/077；该发明授权采用一个掩膜版的声表面波标签结构及其编码识别方法是由刘翔宇;陈智军;陈智;朱卫俊;徐海林;夏前亮设计研发完成，并于2022-11-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本采用一个掩膜版的声表面波标签结构及其编码识别方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种采用一个掩膜版的声表面波标签结构及其编码识别方法，所有编码的标签都采用同一个掩膜版制作，通过外接电容的不同来对标签进行编码。声表面波标签包括多个反射栅对，每个反射栅对由一个参考反射栅和一个外接负载电容的负载反射栅构成，并且负载电容的容值有多个可选项，对应于每个反射栅对可能出现的编码。鉴于负载反射栅的反射率随外接电容的变化而变化，通过与负载反射栅、参考反射栅对应的两个回波脉冲信号的幅值比来获取反射栅对的编码值，并最终识别出声表面波标签的编码。本发明的特点是仅需一个掩膜版，并且可以对编码容量进行动态扩充，其识别方法不仅消除了距离的影响，还避免了不同反射栅对之间编码的耦合影响。

本发明授权采用一个掩膜版的声表面波标签结构及其编码识别方法在权利要求书中公布了：1.一种采用一个掩膜版的声表面波标签结构，其特征在于：所有编码的所述声表面波标签采用同一个掩膜版制作，通过外接电容的不同来确定声表面波标签的编码； 所述声表面波标签结构包括压电基底、叉指换能器、m个反射栅对、m个负载电容、天线；其中，叉指换能器沉积在压电基底表面的左侧，第1反射栅对、第2反射栅对、…、第m反射栅对按照与叉指换能器的距离由近及远的顺序沉积在压电基底表面的右侧后续空间；每个反射栅对由一个参考反射栅和一个负载反射栅构成，参考反射栅采用开路栅结构，负载反射栅采用叉指栅结构；负载电容的数量和反射栅对的数量相等，每个负载反射栅外接一个负载电容； 每个负载电容的容值有n个可选项，对应于每个反射栅对可能出现的n种编码，记为1、2、…、n；第1反射栅对、第2反射栅对、…、第m反射栅对的编码分别记为x1、x2、…、xm，声表面波标签的编码相应记为x1-x2-…-xm，从而包括m个反射栅对的声表面波标签的编码容量为nm。

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