同济大学黄佳获国家专利权
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龙图腾网获悉同济大学申请的专利一种具有宽光谱响应的突触晶体管器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115666142B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211354772.6，技术领域涉及：H10K30/65；该发明授权一种具有宽光谱响应的突触晶体管器件及其制备方法是由黄佳;张钧尧设计研发完成，并于2022-11-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有宽光谱响应的突触晶体管器件及其制备方法在说明书摘要公布了：一种具有宽光谱响应的突触晶体管器件，其特征在于，包括：浮栅层，用于捕获不同波长的光信号从而产生光生载流子；隧穿层，设置在浮栅层上，用于储存浮栅层内产生的光生载流子；有源层，设置在隧穿层上，用于传输电荷载流子和光生载流子；源漏电极，两个源漏电极对称设置在有源层上，用于提供驱动电压，驱动有源层中电荷载流子和光生载流子的流动，形成回路；基底，设置在突触晶体管器件最底端，用于作为制备突触晶体管器件的基础；栅电极，设置在基底上，用于诱导出有源层中的电荷载流子；绝缘层，设置在栅电极与浮栅层之间，用于隔绝栅电极和有源层的导通，其中，浮栅层的材料为具有宽光谱响应的量子点，浮栅层与有源层之间形成异质结结构。
本发明授权一种具有宽光谱响应的突触晶体管器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有宽光谱响应的突触晶体管器件，其特征在于，包括： 浮栅层，用于捕获不同波长的光信号从而产生光生载流子； 隧穿层，设置在所述浮栅层上，用于储存所述浮栅层内产生的所述光生载流子； 有源层，设置在所述隧穿层上，用于传输电荷载流子和所述光生载流子； 源漏电极，两个所述源漏电极对称设置在所述有源层上，用于提供驱动电压，用于驱动所述有源层中所述电荷载流子和所述光生载流子的流动，形成回路； 基底，设置在所述突触晶体管器件最底端，用于作为制备所述突触晶体管器件的基础； 栅电极，设置在所述基底上，用于诱导出所述有源层中的所述电荷载流子； 绝缘层，设置在所述栅电极与所述浮栅层之间，用于隔绝所述栅电极和所述有源层的导通， 其中，所述浮栅层的材料为具有宽光谱响应的量子点，所述有源层的材料为有机半导体材料，所述浮栅层与所述有源层之间形成异质结结构。
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