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龙图腾网获悉天狼芯半导体(成都)有限公司申请的专利一种氮化镓基二极管器件、制备方法及氮化镓HEMT获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115602710B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211310760.3，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种氮化镓基二极管器件、制备方法及氮化镓HEMT是由刘涛;黄汇钦设计研发完成，并于2022-10-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种氮化镓基二极管器件、制备方法及氮化镓HEMT在说明书摘要公布了：本申请属于半导体技术领域，提供了一种氮化镓基二极管器件、制备方法及氮化镓HEMT，氮化镓基二极管器件中，沟道层呈凸形结构，势垒层设于沟道层的凸起部上，通过将介电常数低的第一底部介质层和第二底部介质层设于沟道层的基部上且与阴极电极层和沟道层的凸起部接触，将介电常数高的第一顶部介质层和第二顶部介质层分别设于第一底部介质层和第二底部介质层上，阳极电极层覆盖于顶部介质层且与势垒层接触，从而通过顶部介质层提升二极管的器件的电荷量，由底部介质层改善器件拐角处的电场，提升寄生二极管的击穿电压，解决氮化镓基HEMT器件由于缺少体二极管导致在高感性应用场景不稳定的问题。

本发明授权一种氮化镓基二极管器件、制备方法及氮化镓HEMT在权利要求书中公布了：1.一种氮化镓基二极管器件，其特征在于，所述氮化镓基二极管器件包括： 半导体衬底； 沟道层，设于所述半导体衬底上，其中，所述沟道层呈凸形结构； 势垒层，设于所述沟道层的凸起部上； 第一阴极电极层和第二阴极电极层，所述第一阴极电极层设于所述沟道层的左侧基部上，所述第二阴极电极层设于所述沟道层的右侧基部上； 第一底部介质层和第二底部介质层，所述第一底部介质层设于所述沟道层的左侧基部上，且与所述第一阴极电极层和所述沟道层的凸起部接触，所述第二底部介质层设于所述沟道层的右侧基部上，且与所述第二阴极电极层和所述沟道层的凸起部接触； 第一顶部介质层和第二顶部介质层，所述第一顶部介质层设于所述第一底部介质层上且与所述沟道层的凸起部和所述势垒层接触，所述第二顶部介质层设于所述第二底部介质层上且与所述沟道层的凸起部和所述势垒层接触；其中，所述第一顶部介质层的介电常数大于所述第一底部介质层的介电常数，所述第二顶部介质层的介电常数大于所述第二底部介质层的介电常数； 阳极电极层，覆盖于所述第一顶部介质层和所述第二顶部介质层，且与所述势垒层接触；所述第一顶部介质层和所述第二顶部介质层呈L形结构； 所述第一顶部介质层的垂直部设于所述第一底部介质层上，所述第一顶部介质层的水平部设于所述势垒层上； 所述第二顶部介质层的垂直部设于所述第二底部介质层上，所述第二顶部介质层的水平部设于所述势垒层上。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人天狼芯半导体(成都)有限公司，其通讯地址为：610000 四川省成都市高新区吉泰路5路88号香年广场T3栋4201室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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