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龙图腾网获悉大立光电股份有限公司申请的专利成像镜头与电子装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115598794B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210171813.1，技术领域涉及：G02B13/00；该发明授权成像镜头与电子装置是由范丞纬;周明达;张建邦;林正峰;朱国强设计研发完成，并于2022-02-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本成像镜头与电子装置在说明书摘要公布了：一种成像镜头与电子装置，成像镜头包含一成像透镜组，且一光轴通过成像镜头。成像透镜组包含多个透镜，其中透镜包含一第一透镜与一第二透镜，且分别包含至少一纳米结构层与至少一结构连接层。纳米结构层呈不规则状排列，纳米结构层包含一氧化铝结晶。结构连接层设置于第一透镜的表面与纳米结构层之间及第二透镜的表面与纳米结构层之间，结构连接层包含至少一二氧化硅膜层，二氧化硅膜层与纳米结构层的底部实体接触。当成像镜头满足特定条件时，可维持成像品质。

本发明授权成像镜头与电子装置在权利要求书中公布了：1.一种成像镜头，其特征在于，一光轴通过该成像镜头，且包含： 一成像透镜组，包含多个透镜，所述多个透镜包含： 一第一透镜与一第二透镜，其中该第一透镜的折射率与该第二透镜的折射率不同，且分别包含： 至少一纳米结构层，该至少一纳米结构层呈不规则状排列，该至少一纳米结构层包含一氧化铝结晶，该至少一纳米结构层的结构尺度介于98nm至420nm；以及 至少一结构连接层，该至少一结构连接层设置于该第一透镜的表面与该至少一纳米结构层之间及该第二透镜的表面与该至少一纳米结构层之间，该至少一结构连接层包含至少一二氧化硅膜层，该至少一二氧化硅膜层与该至少一纳米结构层的底部实体接触，且该至少一二氧化硅膜层的厚度介于20nm至150nm； 其中，该成像镜头具有一穿透率衰减指标，该穿透率衰减指标与该成像透镜组的所述多个透镜的数量及一穿透率衰减模拟常数相关； 其中，该穿透率衰减指标为Tdi，该成像透镜组的所述多个透镜的数量为E，该穿透率衰减模拟常数为c，该成像镜头对应波长区间540nm至590nm的一光线具有一平均穿透率，该平均穿透率为T5459，该第一透镜的折射率与该第二透镜的折射率的一差值为Δn，所述多个透镜中设置有该至少一纳米结构层的物侧表面与像侧表面的表面总数为NCS，其满足下列条件： 0.85≤Tdi≤0.9； 90%≤T5459； 0.065≤Δn≤0.82；以及 0.8≤NCS2E≤1。

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