深圳芯能半导体技术有限公司张枫获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳芯能半导体技术有限公司申请的专利MOSFET的结构、制造方法及功率器件、电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115483288B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211100246.7，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权MOSFET的结构、制造方法及功率器件、电子设备是由张枫;刘杰设计研发完成，并于2022-09-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本MOSFET的结构、制造方法及功率器件、电子设备在说明书摘要公布了：一种MOSFET的结构、制造方法及功率器件、电子设备，属于半导体技术领域，通过包括外延层、沟道层、有源层、栅极结构、第一沟槽、第一导电层、第一介电层、金属柱、浮动结以及第一绝缘层；沟道层设置于外延层的上表面；有源层设置于沟道层的上表面；栅极结构从有源层的上表面纵向向下穿过有源层和沟道层；第一沟槽从有源层的上表面纵向向下穿过有源层和沟道层；第一导电层覆盖在第一沟槽的侧壁内表面；第一介电层覆盖在第一导电层的侧壁内表面；金属柱填充在第一介电层内部；浮动结位于第一沟槽的底部；第一绝缘层位于第一沟槽的顶部；减小了MOSFET的内阻并提高了纵向耐压能力和横向耐压能力。
本发明授权MOSFET的结构、制造方法及功率器件、电子设备在权利要求书中公布了：1.一种MOSFET的结构，其特征在于，包括： 外延层； 设置于所述外延层的上表面的沟道层； 设置于所述沟道层的上表面的有源层； 从所述有源层的上表面纵向向下穿过所述有源层和所述沟道层的栅极结构； 从所述有源层的上表面纵向向下穿过所述有源层和所述沟道层的第一沟槽； 覆盖在所述第一沟槽的侧壁内表面的第一导电层； 覆盖在所述第一导电层的侧壁内表面的第一介电层； 填充在所述第一介电层内部的金属柱； 位于所述第一沟槽的底部的浮动结； 位于所述第一沟槽的顶部的第一绝缘层； 所述外延层为N型外延层，所述沟道层为P型沟道层，所述有源层为P型有源层，所述浮动结为P型浮动结；或者 所述外延层为P型外延层，所述沟道层为N型沟道层，所述有源层为N型有源层，所述浮动结为N型浮动结。
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